1.一种镁纳米线薄膜的制备方法，采用磁控溅射在基底上沉积镁纳米线薄膜：所述磁控溅射的靶材为Mg靶；

所述Mg靶与基底之间的距离为60～80mm；

所述磁控溅射在氩气保护下进行；

所述磁控溅射时基底的温度为25～100℃；

所述磁控溅射时基底的倾斜角度60°<α<89°。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述基底包括导电硅晶片、SiO2片或Al2O3片。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述Mg靶的纯度大于等于99.99wt％。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射时基底的温度为25～80℃。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射的功率为20～100W。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射时的工作电压为0.13～

1.3Pa。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射的时间为10～60min。

8.权利要求1～7任意一项所述制备方法制备的镁纳米线薄膜，所述镁纳米线薄膜中镁纳米线的直径为20～100nm。

9.权利要求8所述的镁纳米线薄膜作为储氢固态材料的应用。