1.一种二维钙钛矿单晶的制备方法，其特征在于，利用液‑液相限域方法制备二维ABX3钙钛矿半导体材料，所得二维晶体上表面不与基板接触，从而减少缺陷，得到高质量的二维平面钙钛矿单晶，包括以下步骤：

（1）将AX和BX2按照一定比例溶于前驱体溶剂中，得前驱体溶液体系，并加热搅拌，得到+

澄清透明的ABX3溶液，其中ABX3前驱体溶液浓度为0.1 wt% 至饱和溶液浓度，其中，A为MA、+ + 2+ 2+ − − −

FA、Cs中的一种或多种，B为Pb 、Sn 或两种，X为Cl、Br、I、中的一种或多种；

（2）取上述ABX3溶液，滴加到洁净的平面基底上并铺开成膜；

（3）将限制相溶剂滴加到ABX3溶液膜上方，并将其完全覆盖，形成液‑液界面，限制溶液厚度并可以隔绝水分与空气，其中，所述的限制层溶液与ABX3溶液不互溶或溶解度很小，且密度应小于ABX3溶液密度；

（4）在低温下静置生长一段时间，得到二维钙钛矿单晶。

2.如权利要求1所述的一种二维钙钛矿单晶的制备方法，其特征在于，可根据所需晶体厚度调整滴加前驱体溶液体积和基板大小，所得晶体厚度在100 nm‑5 mm之间。

3.如权利要求1所述的一种二维钙钛矿单晶的制备方法，其特征在于，所述的前驱体溶剂为二甲基亚砜、二甲基甲酰胺、N‑甲基吡咯烷酮、γ‑丁内酯中的一种或它们的混合。

4.如权利要求1所述的一种二维钙钛矿单晶的制备方法，其特征在于，所述的平面基底可用玻璃、硅片、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚四氟乙烯或可以预见的其他平面基底。

5.如权利要求1所述的一种二维钙钛矿单晶的制备方法，其特征在于，所述的限制溶液为硅油或符合密度条件的多碳烷烃类非极性溶剂。

6.如权利要求1所述的一种二维钙钛矿单晶的制备方法，其特征在于，所述的低温温度范围在0‑80℃，生长时间0.1小时—10天。