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专利号: 2021102351869
申请人: 华中师范大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2025-10-14
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种银负载氯氧铋纳米材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

提供具有(001)晶面暴露的氯氧铋纳米晶片,所述氯氧铋纳米晶片的暴露晶面上具有氯原子;

其中,所述具有(001)晶面暴露的氯氧铋纳米晶片的制备方法为:S1. 将甘露醇、聚乙烯吡咯烷酮与水以2.5mmol:0.4g:25ml的比例,不断搅拌至完全溶解,得到溶液A;S2. 将

1mmol Bi(NO3)3·5H2O在红外灯下研磨至细粉后加入溶液A中,均匀搅拌20分钟至完全溶解得到溶液B;S3. 将氯化钾与水的比例为3mmol:10ml溶解,搅拌均匀后得溶液C,将溶液C加入溶液B中,均匀搅拌10min,得溶液D;S4. 将溶液D转移到聚四氟乙烯内衬的反应釜中,于

160℃条件下反应3h;S5. 反应结束后将得到的沉淀依次用去离子水和无水乙醇洗涤,然后将产物放在烘箱中烘干,即制得表面终端为氯原子暴露的(001)面氯氧铋纳米晶片;

使银源的银离子化学键合在所述氯氧铋纳米晶片的暴露晶面上,具体为:由银原子同具有晶面暴露的氯氧铋纳米晶片的暴露晶面上氯原子产生化学键所形成。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,使银源的银离子化学键合在所述氯氧铋纳米晶片的暴露晶面上的步骤具体为:将氯氧铋纳米晶片浸渍在银源溶液中充分搅拌,将所得沉淀用蒸馏水和无水乙醇洗涤、离心,经烘干后进行热处理即可制得。

3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述氯氧铋纳米晶片的用量为0.5~

3g;所述银源为硝酸银,浓度为0.8~4g/L;所述热处理条件为200℃,3h。

4.根据权利要求1所述的方法制备得到的银负载氯氧铋纳米材料,其特征在于,所述氯氧铋纳米晶片为(001)晶面暴露的纳米晶片,厚度为3~5nm。

5.一种根据权利要求1所述的方法制备得到的银负载氯氧铋纳米材料的应用,其特征在于,所述银负载氯氧铋纳米材料作为催化剂在光催化降解气态氮氧化物中的应用。