1.一种噻吩选择性石墨烯仿生矿化膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将表面活性剂、聚二甲基硅氧烷低聚物、氧化石墨烯和正硅酸甲酯溶解在正庚烷中，室温下搅拌，得到第一混合液；

S2、将半胱胺溶于Tris‑盐酸缓冲溶液，得到诱导剂；

S3、在所述第一混合液中滴加所述诱导剂，搅拌20～40min后滴加催化剂，得到第二混合液；

S4、以聚偏氟乙烯微滤膜为支撑层，在室温下将所述第二混合液浇铸在所述聚偏氟乙烯微滤膜上，在空气中干燥、退火，得到仿生矿化膜，其中，所述仿生矿化膜中，所述氧化石墨烯的质量百分比为0.01～0.5wt.％。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述表面活性剂为质量比为1:1～1.5的吐温和司班的混合表面活性剂。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述聚二甲基硅氧烷低聚物、所述表面活性剂和所述正硅酸甲酯的质量比为1:0.05～0.15:0.1～0.2。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述Tris‑盐酸缓冲溶液的摩尔浓度为0.02～0.03mol/L。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述诱导剂的摩尔浓度为0.45～

0.55mol/L，所述诱导剂的PH为6.5～7.5。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述催化剂为二月桂酸二丁基锡。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S4中，干燥时间为23～25h，退火温度为75～85℃。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述聚偏氟乙烯微滤膜预先在去离子水中浸泡2.5～3.5h。

9.一种噻吩选择性石墨烯仿生矿化膜，其特征在于，根据权利要求1～8任意一项所述的制备方法制得。