1.基于伪图腾柱结构的单相三电平功率因数校正电路，其特征在于包括：单相伪图腾柱结构、滤波器、带双向开关管的单相整流桥；

所述单相伪图腾柱结构包括开关管S1、S2，二极管D1、D2；

所述滤波器包括电感L1、L2；

所述带双向开关管的单相整流桥包括二极管D3、D4，一组双向开关管，电容C1、C2，负载RL；

连接关系如下：

开关管S1漏极分别连接二极管D1阳极、电感L1一端；

二极管D2阴极分别连接开关管S2源极、电感L2一端；

二极管D1阴极分别连接开关管S2漏极、二极管D3阴极、电容C1一端；

开关管S1源极分别连接二极管D2阳极、二极管D4阳极、电容C2另一端；

电感L1一端、电感L2一端均连接电源一侧；

电源另一侧分别连接二极管D3阳极、二极管D4阴极、开关管S3源极；

开关管S3漏极连接开关管S4漏极；

开关管S4源极分别连接电容C1另一端、电容C2一端；

负载RL两端分别连接电容C1一端、电容C2另一端。

2.根据权利要求1所述基于伪图腾柱结构的单相三电平功率因数校正电路，其特征在于：所述开关管S1、S2、S3均为带有体二极管的MOSFET、或者IGBT。

3.根据权利要求1或2所述基于伪图腾柱结构的单相三电平功率因数校正电路，其特征在于：电路正常工作时，共有6种工作模式：(1)正半周期三种工作模式：

模式一：全控型开关管S1、S2、S3和S4关断，二极管D1及全控型开关管S2上的体二极管正偏导通，电容C1、C2充电，电感L1和L2均承受电压us‑udc，电感L1、L2均分电流is，有is＝iL1+iL2＝2iL；因输入电压频率远小于开关频率，在一个开关频率内可认为输入电压不变，故电感L1、L2上的电流线性下降，此时，B1点和B2点的电位等于udc；

模态二：全控型开关管S1、S2和S4关断，全控型开关管S3打开，二极管D2及全控型开关管S2上的体二极管正偏导通，双向开关管中S3打开，开关管S4上的体二极管正偏导通，电容C1充电，电容C2在负载回路中放电，电感承受电压us‑Udc/2，电感L1、L2均分电流is，同样，认为输入电压在一个开关周期内不变；当电源电压小于Udc/2时，电感电流线性下降；当电源电压大于Udc/2时，电感电流线性上升，此时，B1点和B2的电位等于Udc/2；

模态三：全控型开关管S1打开，全控型开关管S2、S3和S4关断，开关管S1、二极管D4、电感L1和电源形成回路，电容C1、C2向负载RL供电，L1承受电网电压us，输入电压在一个周期内认为是定值，电感L1电流线性上升，此时，B1点的电位等于0，B2点的电位等于us；

(2)负半周期三种工作模式：

模态四：全控型开关管S2打开，全控型开关管S1、S3和S4关断，开关管S2、二极管D3、电感L2和电源形成回路，电容C1、C2向负载RL供电，电感L2承受电网电压us，输入电压在一个周期内认为是定值，电感L2电流线性上升，此时，B2点的电位等于0，B1点的电位等于us；

模态五：全控型开关S4打开，其余开关关断，二极管D2及全控型开关管S1上的体二极管正偏导通，双向开关管中S4打开，开关管S2上的体二极管正偏导通，电容C1充电，电容C2在负载回路中放电，电感承受电压us‑Udc/2，电感L1、L2均分电流is，同样，认为输入电压在一个开关周期内不变；当电源电压绝对值小于Udc/2时，电感电流线性上升；当电源电压绝对值大于Udc/2时，电感电流线性下降，此时，B1点和B2的电位等于‑Udc/2；模态六：全控型开关管全部关断，电感L1的电流经二极管D3和开关管S1的体二极管续流；电感L2的电流经二极管D3和D2续流；电容C1、C2均充电，电感L1承受电压us+Udc，电感电流上升，当前模态下，B1、B2点电压为‑Udc。