1.一种光刻胶的轮廓三维建模方法，其特征在于，所述光刻胶的轮廓三维建模方法包括：多次收集规律图型在多个位置的光刻胶轮廓；

将所述光刻胶轮廓重叠在一起，形成复数轮廓；

获取所述复数轮廓的白边宽度和差异量；

根据所述白边宽度和所述差异量，建立光刻胶三维模型，包括：根据所述差异量，获取光刻胶的侧墙角度，其中，所述差异量的大小与所述侧墙角度的大小成正比；根据所述白边宽度和所述侧墙角度，获取光刻胶的侧墙高度；根据所述侧墙高度，建立所述光刻胶三维模型，其中，所述侧墙高度的计算公式为：H＝L*(tanβ)

式中，H为侧墙高度，L为白边宽度，β为侧墙角度。

2.根据权利要求1所述的光刻胶的轮廓三维建模方法，其特征在于，所述规律图型包括代表电路层的矩形区域，所述电路层中设置有光刻胶，所述矩形区域的长度范围为：50nm～

2000nm。

3.一种光刻胶的轮廓三维建模系统，其特征在于，所述光刻胶的轮廓三维建模系统包括：轮廓收集模块(310)，用于多次收集规律图型在多个位置的光刻胶轮廓；

重叠模块(320)，用于将所述光刻胶轮廓重叠在一起形成复数轮廓；

参数获取模块(330)，用于获取所述复数轮廓的白边宽度和差异量；

建模模块(340)，用于根据所述白边宽度和所述差异量，建立光刻胶三维模型，其中，所述建模模块(340)包括：角度获取单元(341)，用于根据所述差异量，获取光刻胶的侧墙角度，其中，所述差异量的大小与所述侧墙角度的大小成正比；

高度获取单元(342)，用于根据所述白边宽度和所述侧墙角度，获取光刻胶的侧墙高度，所述高度获取单元(342)中存储有所述侧墙高度的计算公式：H＝L*(tanβ)

式中，H为侧墙高度，L为白边宽度，β为侧墙角度；

建模单元(343)，用于根据所述侧墙高度，建立所述光刻胶三维模型。

4.根据权利要求3所述的光刻胶的轮廓三维建模系统，其特征在于，所述轮廓收集模块(310)为电子显微镜机台。

5.一种可读存储介质，其特征在于，所述可读存储介质存储有程序，所述程序可供处理器读取、并执行权利要求1、2任一项所述的光刻胶的轮廓三维建模方法。