1.一种IGBT侧框，包括主体（1），其特征在于：所述主体（1）的上端外表面设置有集电极（2），所述集电极（2）的上端设置有P层（5），所述P层（5）的上端外表面设置有缓冲区（3），所述缓冲区（3）的上端外表面设置有基极（4），所述基极（4）的上端设置有功率模块（9）、N发射极（7）和P基极（6），所述N发射极（7）位于功率模块（9）的一侧，所述P基极（6）位于N发射极（7）的下端一侧，所述功率模块（9）的上端外表面设置有门极（8），所述发射极（12）位于门极（8）的上端外表面，所述主体（1）的下端外表面设置有散热底板（10），所述主体（1）的两侧外表面设置有绝缘层（11），所述散热底板（10）包括螺杆（1001）、上基板（1002）、铜管（1003）和下基板（1004），所述功率模块（9）包括振荡器（901）、欠压锁定器（902）、误差放大器（903）、锁存脉宽调制器（904）和输出模块（905），所述绝缘层（11）包括纤维（1101）和塑料（1102）。

2.根据权利要求1所述的一种IGBT侧框，其特征在于：所述螺杆（1001）位于上基板（1002）的上端外表面，所述上基板（1002）的下端外表面设置有铜管（1003），所述铜管（1003）的下端外表面设置有下基板（1004）。

3.根据权利要求1所述的一种IGBT侧框，其特征在于：所述铜管（1003）通过设置的凹槽与上基板（1002）和下基板（1004）固定连接，所述散热底板（10）通过螺杆（1001）与主体（1）固定连接。

4.根据权利要求1所述的一种IGBT侧框，其特征在于：所述振荡器（901）、欠压锁定器（902）和误差放大器（903）均位于锁存脉宽调制器（904）、输出模块（905）的一侧，所述欠压锁定器（902）位于振荡器（901）的下端一侧，所述误差放大器（903）位于欠压锁定器（902）的下端一侧，所述输出模块（905）位于锁存脉宽调制器（904）的下端一侧。

5.根据权利要求1所述的一种IGBT侧框，其特征在于：所述振荡器（901）、欠压锁定器（902）和误差放大器（903）的输出端与锁存脉宽调制器（904）的输入端电性连接，所述锁存脉宽调制器（904）的输出端与输出模块（905）的输入端电性连接，所述功率模块（9）通过设置的螺丝与基极（4）固定连接。

6.根据权利要求1所述的一种IGBT侧框，其特征在于：所述纤维（1101）位于塑料（1102）的上端外表面。

7.根据权利要求1所述的一种IGBT侧框，其特征在于：所述纤维（1101）通过设置的粘胶与塑料（1102）固定连接，所述绝缘层（11）通过设置的螺丝与主体（1）固定连接。