1.一种磁簧开关电路，其特征在于，所述磁簧开关电路包括金属氧化物半导体场效应晶体管、磁簧开关和第一分压电路，所述金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极与负载连接，所述磁簧开关连接于所述金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极与源极之间，所述第一分压电路连接于所述金属氧化物半导体场效应晶体管的所述栅极和所述磁簧开关的公共连接端与所述负载之间；所述第一分压电路和所述负载的公共连接端与所述磁簧开关和所述金属氧化物半导体场效应晶体管的所述源极的公共连接端之间连接电源。

2.根据权利要求1所述的一种磁簧开关电路，其特征在于，所述磁簧开关为常开型干簧管。

3.根据权利要求1所述的一种磁簧开关电路，其特征在于，所述金属氧化物半导体场效应晶体管为P沟道型。

4.根据权利要求1所述的一种磁簧开关电路，其特征在于，所述磁簧开关电路还包括稳压管，所述稳压管并联于所述磁簧开关。

5.根据权利要求1所述的一种磁簧开关电路，其特征在于，所述磁簧开关电路还包括第二分压电路，所述第二分压电路与所述磁簧开关并联。

6.根据权利要求1所述的一种磁簧开关电路，其特征在于，所述磁簧开关电路还包括电容，所述电容并联于所述磁簧开关。