1.一种气压自动校准设备的温度压力调节系统，其特征在于，所述温度压力调节系统包括

密闭的空腔(6)，所述空腔(6)由至少四个侧壁围成；

温度调节系统，所述温度调节系统包括设置在所述侧壁外壁的半导体制冷单元(4)，所述半导体制冷单元(4)根据通过其的电流方向制冷或制热；

压力调节系统，所述压力调节系统包括压力补偿装置和与所述空腔连接的真空泵；

散热系统，所述散热系统与所述侧壁接触；

控制器，所述控制器与所述温度调节系统、所述压力调节系统和所述散热系统连接。

2.如权利要求1所述的温度压力调节系统，其特征在于，所述散热系统包括与冷水机连接的水冷铜管(3)，所述水冷铜管(3)部分地与所述侧壁的外壁接触。

3.如权利要求2所述的温度压力调节系统，其特征在于，所述半导体制冷单元(4)设置在所述水冷铜管(3)与所述侧壁之间，所述半导体制冷单元(4)的数量为多个，相邻的半导体制冷单元(4)之间设有间隔区，间隔区由绝热材料填充。

4.如权利要求1所述的温度压力调节系统，其特征在于：所述半导体制冷单元(4)由外制冷片和内制冷片相叠加而成，所述内制冷片与所述侧壁的外壁接触，所述外制冷片的泵热能力高于所述内制冷片的泵热能力；

所述外制冷片的冷面与所述内制冷片的热面相接触，或者，所述外制冷片的热面与所述内制冷片的冷面相接触；

所述控制器根据所述内制冷片的工作电压调节所述外制冷片的工作电压。

5.如权利要求1所述的温度压力调节系统，其特征在于，所述空腔(6)内设置有一个或多个温度传感器(2)，所述温度传感器(2)与所述控制器连接，所述控制器根据所述温度传感器(2)的探测结果调整通过所述半导体制冷单元(4)的电流的大小与方向。

6.如权利要求1所述的温度压力调节系统，其特征在于，所述压力调节系统包括与所述控制器连接的电容压差仪，所述电容压差仪用于探测所述空腔(6)中的气压，所述控制器根据所述电容压差仪的探测结果对真空泵和所述压力补偿装置进行控制。

7.如权利要求1所述的温度压力调节系统，其特征在于，所述温度压力调节系统至少包括以下的5个稳定温度校准点：40℃±0.2℃、20℃±0.2℃、0℃±0.2℃、‑20℃±0.2℃、‑35℃±0.2℃，以及与所述5个温度校准点分别对应的5个稳定气压校准点：950hPa±0.03hPa、

700hPa±0.03hPa、500hPa±0.03hPa、200hPa±0.03hPa、5hPa±0.03hPa。

8.如权利要求4所述的温度压力调节系统，其特征在于，所述温度压力调节系统包括第一调节模式，所述第一调节模式为：当所述控制器控制所述温度调节系统使得所述空腔中的温度从第一温度校准点向第二温度校准点变化时，若第一温度校准点高于第二温度校准点，则变化用时为8～12分钟；若第一温度校准点低于所述第二温度校准点，则变化用时为4～6分钟。

9.如权利要求4所述的温度压力调节系统，其特征在于，所述温度压力调节系统包括第二调节模式，所述第二调节模式为：当所述控制器控制所述温度调节系统使得所述空腔中的温度向第三温度校准点变化时，若空腔中的温度与第三温度校准点之间的温差达到第一阈值，则变化用时1～4分钟。

10.如权利要求9所述的温度压力调节系统，其特征在于，所述第一阈值为1℃～3℃。