1.一种Ti/Sb多层纳米复合相变存储薄膜材料，其特征在于，由Ti金属层和Sb金属层在基层材料上交替沉积复合而成，将Ti金属层和Sb金属层作为一个交替周期；

所述Ti/Sb多层纳米复合相变存储薄膜材料的膜结构表达通式为：[Tix/Sby]a，其中x为单层Ti金属层的厚度且1nm≤x＜10nm；y为单层Sb金属层的厚度且1nm≤y＜10 nm；a为Ti金属层和Sb金属层的交替周期数且2≤a＜10；所述x、y、a满足40nm≤(x+y)×a≤60nm，其中(x+y)×a代表所述Ti/Sb多层纳米相变存储薄膜材料的总膜厚。

2.根据权利要求1所述的一种Ti/Sb多层纳米复合相变存储薄膜材料，其特征在于，(x+y)×a=50nm。

3.根据权利要求1所述的一种Ti/Sb多层纳米复合相变存储薄膜材料，其特征在于，后一个交替周期的Sb金属层沉积在前一个交替周期的Ti金属层上方。

4.根据权利要求1 3任一项所述的Ti/Sb多层纳米复合相变存储薄膜材料的制备方法，~其特征在于，包括如下步骤：

（1）清洗基层材料并烘干待用；

（2）磁控溅射前的准备：安装待溅射的Ti金属靶材与 Sb金属靶材，将磁控溅射腔室抽真空，使用Ar气作为溅射气体；设定溅射功率，设定溅射Ar气流量及溅射气压；

（3）室温磁控溅射制备Ti/Sb多层纳米复合相变存储薄膜：

a）将步骤（1）中基层材料放置在基托上，将空基托分别旋转到Ti金属靶材与 Sb金属靶材的靶位上，分别打开靶位上的射频电源，设定Ti金属靶材与 Sb金属靶材的溅射时间和溅射速率以清洁靶位表面；

b）Ti金属靶材与 Sb金属靶材面清洁完成后，关闭Ti金属靶材与 Sb金属靶材靶位上所施加的射频电源；将待溅射的基层材料旋转到Sb金属靶材的靶位，打开Sb金属靶材的靶位上的交流电源，设定Sb金属靶材的溅射时间和溅射速率，开始溅射 Sb金属薄膜，溅射完成后获得单层Sb金属层；

c）然后将待溅射的基层材料旋转到Ti金属靶材的靶位，打开Ti金属靶材的靶位上的交流电源，设定Ti金属靶材的溅射时间和溅射速率，开始溅射Ti金属薄膜，溅射完成后获得单层Ti金属层；

d）将步骤b) 溅射得到的单层Sb金属层和步骤c)溅射得到的单层Ti金属层作为一个交替周期数，多次重复上述步骤b)和步骤c)后即得到Ti/Sb多层纳米复合相变存储薄膜材料。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述基层材料为纯度至少5N的SiO2/Si基片；所述Ti金属靶材和所述Sb金属靶材的原子百分比纯度至少为5N。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述溅射功率为30W。

7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述Ar气的体积百分数至少为5N，Ar气气体流量为25 35sccm，溅射气压为0.2 0.45Pa。

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8.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）a)中Ti金属靶材的溅射时间300s、与Sb金属靶材的溅射时间120s；

所述步骤（3）的b)、c) 中Sb金属靶材的溅射时间t1范围为2.5s≤t1＜25s、 Ti金属靶材的溅射时间t2范围为2.6s≤t2＜26s。

9.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述Ti金属靶材的溅射速率2.597s/nm；所述 Sb金属靶材的溅射速率2.479s/nm。

10.根据权利要求1 3任一项所述的Ti/Sb多层纳米复合相变存储薄膜材料应用于相变~存储器。