1.一种二硫化钴/碳空心纳米花复合材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将正硅酸乙酯滴加到水和无水乙醇的混合溶液中，然后加入氨水搅拌，得到沉淀物，将沉淀物进行清洗、干燥得到二氧化硅纳米球；

(2)将步骤(1)得到的二氧化硅纳米球分散到去离子水中，然后加入尿素和钴盐进行搅拌获得混合溶液；

(3)将步骤(2)得到的混合溶液移入反应釜中进行水热反应，将所得沉淀物进行清洗、干燥获得具有核壳结构的硅酸钴盐/二氧化硅复合材料；

(4)将步骤(3)得到的具有核壳结构的硅酸钴盐/二氧化硅复合材料分散于去离子水中，然后加入多巴胺和三羟甲基氨基甲烷进行搅拌，所得沉淀物进行清洗、干燥获得聚多巴胺包覆的硅酸钴盐/二氧化硅复合材料；

(5)将步骤(4)得到的聚多巴胺包覆的硅酸钴盐/二氧化硅复合材料放置于管式炉中在保护气氛下进行热处理得到钴前驱体/碳纳米花/二氧化硅复合材料；

(6)将步骤(5)得到的钴前驱体/碳纳米花/二氧化硅复合材料与升华硫混合放置管式炉中，在保护气氛下进行热处理获得二硫化钴/碳纳米花/二氧化硅复合材料；

(7)将步骤(6)得到的二硫化钴/碳纳米花/二氧化硅复合材料分散到氢氟酸水溶液中并搅拌，然后将沉淀物清洗、干燥处理获得二硫化钴/碳空心纳米花复合材料；以及，所述钴盐与所述多巴胺的摩尔比为1‑5:0.6‑2；

步骤(6)中热处理温度为500℃‑700℃。

2.根据权利要求1所述的二硫化钴/碳空心纳米花复合材料的制备方法，其特征在于，步骤(1)中水与无水乙醇的体积比为1:8‑1:4。

3.根据权利要求1所述的二硫化钴/碳空心纳米花复合材料的制备方法，其特征在于，步骤(3)中水热反应的温度为80‑160℃。

4.根据权利要求1所述的二硫化钴/碳空心纳米花复合材料的制备方法，其特征在于，步骤(5)中的热处理温度为500℃‑800℃。

5.权利要求1‑4任一项所述的制备方法所制备的二硫化钴/碳空心纳米花复合材料，其特征在于，二硫化钴分散于碳空心纳米花的表面，所述碳空心纳米花是由碳纳米片所组成的空心纳米球，所述碳空心纳米花的粒径为300‑600nm，所述二硫化钴的颗粒尺寸为8‑

20nm。

6.根据权利要求5所述的二硫化钴/碳空心纳米花复合材料，其特征在于，所述碳纳米片的厚度为15‑30nm。

7.根据权利要求5所述的二硫化钴/碳空心纳米花复合材料，其特征在于，所述碳空心纳米花球壳的厚度为80‑180nm。

8.一种钠离子电池负极，其特征在于，包括权利要求5‑7任一项所述的二硫化钴/碳空心纳米花复合材料。