1.一种抗反射电磁屏蔽结构，其特征是：包括衬底(1)以及设置于所述衬底(1)上的纳米森林结构(2)，在所述纳米森林结构(2)上设置金属薄膜(3)，且纳米森林结构(2)上所有的金属薄膜(3)相互连接呈一体。

2.根据权利要求1所述的抗反射电磁屏蔽结构，其特征是：所述衬底(1)包括金属衬底、半导体材料衬底、聚合物衬底或绝缘体衬底。

3.根据权利要求1所述的抗反射电磁屏蔽结构，其特征是：所述纳米森林结构(2)通过对衬底(1)上的聚合物层(5)采用等离子体轰击制备得到，所述纳米森林结构(2)内纳米纤维体的高度为1μm～50μm，所述纳米纤维体的直径为10nm～300nm。

4.根据权利要求1所述的抗反射电磁屏蔽结构，其特征是：聚合物层(5)通过喷涂或旋涂在衬底(1)上；对聚合物层(5)进行等离子体轰击时，采用氧等离子体轰击、氩等离子体轰击、氧等离子体轰击与氧等离子体交替轰击、或氧等离子体与氩等离子体共同轰击。

5.根据权利要求1所述的抗反射电磁屏蔽结构，其特征是：所述金属薄膜(3)设置在纳米森林结构(2)上的工艺包括溅射、蒸发或电镀。

6.根据权利要求1所述的抗反射电磁屏蔽结构，其特征是：所述衬底(1)包括柔性薄膜。

7.一种抗反射电磁屏蔽结构的制备方法，其特征是，所述制备方法包括如下步骤：步骤1、提供衬底(1)，并在所述衬底(1)上制备聚合物层(5)；

步骤2、在上述衬底(1)上利用聚合物层(5)制备得到纳米森林结构(2)；

步骤3、在上述纳米森林结构(2)上制备金属薄膜(3)，且纳米森林结构(2)上所有的金属薄膜(3)相互连接呈一体。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征是：所述聚合物层(5)通过喷涂或旋涂在衬底(1)上，所述纳米森林结构(2)通过对衬底(1)上的聚合物层(5)采用等离子体轰击制备得到，所述纳米森林结构(2)内纳米纤维体的高度为1μm～50μm，所述纳米纤维体的直径为

10nm～300nm；所述金属薄膜(3)的厚度为100nm‑1μm。

9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征是：对聚合物层(5)进行等离子体轰击时，采用氧等离子体轰击、氩等离子体轰击、氧等离子体轰击与氧等离子体交替轰击、或氧等离子体与氩等离子体共同轰击；

所述金属薄膜(3)设置在纳米森林结构(2)上的工艺包括溅射、蒸发或电镀。

10.根据权利要求7所述的制备方法，其特征是：所述衬底(1)包括金属衬底、半导体材料衬底、聚合物衬底或绝缘体衬底。