1.一种可调制光栅阵列结构的外延材料生长方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在金刚石衬底上生长AlN层；

(2)在所述AlN层上生长n型AlGaN层；

(3)在所述n型AlGaN层上依次生长AlGaN阱层、AlGaN/AlN过度层和C基金刚石层、AlN量子垒层，重复生长若干组AlGaN阱层、AlGaN/AlN过度层和C基金刚石层、AlN量子垒层形成多量子阱层；

(4)在所述多量子阱层上生长P型AlGaN层。

2.根据权利要求1所述的可调制光栅阵列结构的外延材料生长方法，其特征在于，所述AlGaN阱层的生长温度为1000‑1300℃。

3.根据权利要求1所述的可调制光栅阵列结构的外延材料生长方法，其特征在于，所述AlGaN/AlN过度层的厚度为100‑300nm。

4.根据权利要求1所述的可调制光栅阵列结构的外延材料生长方法，其特征在于，所述C基金刚石层的生长具体为：在1300‑1500℃，通入C源，采用高温CVD反应生产金刚石致密层薄膜，所述C源为CH4/H2气体。

5.根据权利要求1所述的可调制光栅阵列结构的外延材料生长方法，其特征在于，所述C基金刚石层的生长温度比AlGaN阱层生长温度高100‑500℃。

6.根据权利要求1所述的可调制光栅阵列结构的外延材料生长方法，其特征在于，所述C基金刚石层中掺杂一定组分的Si元素，调制金刚石层的导电特性。

7.根据权利要求1所述的可调制光栅阵列结构的外延材料生长方法，其特征在于，所述C基金刚石层呈偏振光栅阵列。

8.根据权利要求1所述的可调制光栅阵列结构的外延材料生长方法，其特征在于，所述AlN层呈纳米柱阵列结构。