1.一种基于电晕放电界面修饰的量子点发光二极管，其特征在于：所述量子点发光二极管包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，所述量子点发光层与所述阳极之间设置有空穴传输层，所述空穴传输层与所述阳极之间设置有空穴注入层，所述量子点发光层与所述阴极之间设置有电子传输层，所述量子点发光层靠近电子传输层的表面设置有电晕放电产生的带负电离子层或带正电离子层。

2.根据权利要求1所述的基于电晕放电界面修饰的量子点发光二极管，其特征在于：所述阳极的材料选自掺杂金属氧化物；其中，所述掺杂金属氧化物包括铟掺杂氧化锡（ITO）、氟掺杂氧化锡（FTO）、锑掺杂氧化锡（ATO）、铝掺杂氧化锌（AZO）、镓掺杂氧化锌（GZO）、铟掺杂氧化锌（IZO）、镁掺杂氧化锌（MZO）、铝掺杂氧化镁（AMO）中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的基于电晕放电界面修饰的量子点发光二极管，其特征在于：所述空穴传输层的材料选自具有良好空穴传输能力的有机材料，包括聚(9 ,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)（TFB）、聚乙烯咔唑（PVK）、聚(N  , N '双(4-丁基苯基)-N  ,N  '-双(苯基)联苯胺)（Poly-TPD）、4 ,4’ ,4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）、4  ,4  '-二(9-咔唑)联苯（CBP）、N  ,N’-二苯基-N ,N’-二(3-甲基苯基)-1  ,1’-联苯-4 ,4’-二胺（TPD）、N ,N’-二苯基-N ,N’-（1-萘基）-1 ,1’-联苯-4 ,4’-二胺（NPB）的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的基于电晕放电界面修饰的量子点发光二极管，其特征在于：所述量子点发光层的材料选自红量子点、绿量子点、蓝量子点中的一种或多种，也可选自黄光量子点。

5.根据权利要求1所述的基于电晕放电界面修饰的量子点发光二极管，其特征在于：所述电子传输层的材料为过渡金属氧化物中的一种或多种纳米颗粒，其中过渡金属氧化物包括ZnO、TiO2、SnO2、Ta2O3、ZrO2、NiO、TiLiO、ZnAlO、ZnMgO、ZnSnO、ZnLiO、InSnO中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的基于电晕放电界面修饰的量子点发光二极管，其特征在于：所述阴极的材料选自导电金属氧化物材料或金属材料中的一种或多种；其中导电金属氧化物材料包括ITO、FTO、ATO或AZO中的一种或多种；金属材料包括Al、Ag、Cu、Mo、Au或它们的合金。

7.根据权利要求1所述的基于电晕放电界面修饰的量子点发光二极管，其特征在于：所述空穴注入层包括PEDOT:PSS、CuPc、F4-TCNQ、HATCN、过渡金属氧化物、过渡金属硫系化合物中的一种或多种；其中，所述过渡金属氧化物包括NiOx、MoOx、WOx、CrOx、CuO中的一种或多种；所述金属硫系化合物包括MoSx、MoSex、WSx、WSex、CuS中的一种或多种。

8.根据权利要求1-7任一所述的基于电晕放电界面修饰的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于包括以下步骤：S10、提供一阳极基板；

S20、在所述阳极基板上制备空穴注入层；

S30、在所述空穴注入层上制备空穴传输层；

S40、在所述空穴传输层上制备量子点发光层；

S50、在所述量子点发光层上制备电晕放电产生的带负电离子层或带正电离子层；

S60、在所述电晕放电产生的带负电离子层或带正电离子层上制备电子传输层；

S70、在所述电子传输层上沉积金属阴极。

9.根据权利要求8所述的基于电晕放电界面修饰的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于：所述S50：在所述量子点发光层上制备电晕放电产生的带负电离子层或带正电离子层的方法如下：缓慢释放空气电离枪电离气体，以负电晕放电为例，可以分为两个区域，分别是等离子区和负离子区；在电晕电场的作用下，等离子区的正离子向放电针尖迁移，负离子区的电子和 O2-向量子点薄膜表面迁移，吸附在QDs表面；同理，缓慢挤压空气电离枪，电离气体枪尖端将形成带正电离子区，带电离子将吸附在QDs表面。