1.一种基于可逆硼氧键的低温自修复导电材料，其特征在于：所述低温自修复导电材料是由硼氧键连接羟基化合物形成的自修复基体与导电介质构成。

2.根据权利要求1所述的低温自修复导电材料，其特征在于是通过包括如下步骤的方法制备获得：

步骤1：将四氢呋喃加入羟基化合物中搅拌，直至完全溶解；

步骤2：将一定量硼酸溶解在甲醇中，然后加入步骤1的混合溶液中，搅拌下加热反应；

步骤3：向步骤2的混合溶液中加入碳纳米管，室温下继续搅拌；

步骤4：将步骤3的混合体系置于通风橱中除去溶剂，随后置于真空烘箱中加热一定时间，倒入聚四氟乙烯模具中冷却至室温，放入保干器中干燥过夜，即可获得低温自修复导电材料。

3.根据权利要求2所述的低温自修复导电材料，其特征在于：所述羟基化合物包括端羟基聚丁二烯、端羟基聚二甲基硅氧烷、端羟基丁苯等多羟基聚合物中的一种。

4.根据权利要求2所述的低温自修复导电材料，其特征在于：所述羟基化合物和所述硼酸的质量比为50：1。

5.根据权利要求2所述的低温自修复导电材料，其特征在于：所述碳纳米管的添加量为所述羟基化合物质量的1‑7％。

6.根据权利要求2‑5所述的任一种低温自修复导电材料，其特征在于具体步骤如下：(1)将12mL四氢呋喃加入20g羟基化合物中搅拌，直至完全溶解；

(2)将0.4g硼酸溶解在3mL甲醇中，然后加入到步骤(1)获得的羟基化合物溶液中，60℃下水浴机械搅拌1h；

(3)向步骤(2)的混合溶液中加入碳纳米管，机械搅拌1h；

(4)将步骤3的混合体系置于通风橱中除去溶剂，随后置于真空烘箱中190℃下加热3h，倒入聚四氟乙烯模具中冷却至室温，放入保干器中干燥过夜，即可获得低温自修复导电材料。