1.一种基于栅电压变化的IGBT健康监测方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、通过循环老化实验建立与目标IGBT同规格的IGBT的老化特征参数数据库，并确定失效阈值电压；

S2、获取目标IGBT的工作条件，并实时监测目标IGBT栅极电压；

S3、将目标IGBT开启时的栅极电压分为四个阶段，并提取第四阶段上升电压；

S4、根据目标IGBT的工作条件将第四阶段上升电压与数据库进行比对，判断第四阶段上升电压是否超过失效阈值电压，若是则判定目标IGBT失效，否则判定目标IGBT有效，完成IGBT健康监测。

2.根据权利要求1所述的基于栅电压变化的IGBT健康监测方法，其特征在于，所述步骤S3的具体方法为：根据公式：

获取第一阶段的截止时间t1；其中Rg为IGBT芯片简化等效电路中电阻RG的阻值；Cge为栅极电容的电容值；ln(·)为以常数e为底数的对数；Vth为阈值电压；VGA为米勒平台电压；

根据公式：

获取第二阶段的截止时间t2；其中gm为跨导；IL为电感电流；

根据公式：

获取第三阶段的截止时间t3；其中AN-为栅极与N-漂移区交叠部分的面积；Ig为栅极电流；q为电荷量；εs为半导体介电常数；ND为漂移区空间电荷层电荷浓度；Cox为栅氧化层电容值；Vce为器件集电极和发射极之间电压；Von为器件导通电压；

根据公式：

获取位于第四阶段中的时间t对应的目标IGBT栅极电压Vge(t)；其中t>t3。

3.根据权利要求2所述的基于栅电压变化的IGBT健康监测方法，其特征在于，所述步骤S4中与数据库进行比对的第四阶段上升电压为1.1t3～1.5t3时间段中的任一电压值。

4.根据权利要求2所述的基于栅电压变化的IGBT健康监测方法，其特征在于，所述步骤S4中与数据库进行比对的第四阶段上升电压为t3+150ns时刻对应的电压值。