1.一种单点温度监控的物联网网关，其特征在于，所述物联网网关包括微控制器、与所述微控制器通过UART连接的NB-IoT/GPRS模块、与所述微控制器通过IIC相连的若干个红外非接触温度传感器。

2.如权利要求1所述单点温度监控的物联网网关，其特征在于，所述物联网网关还包括宽压电源模块，所述宽压电源模块适应交流220V和PT供电。

3.如权利要求2所述单点温度监控的物联网网关，其特征在于，所述微控制器为STM32F4微控制器；所述NB-IoT模块为M5313 NB-IoT模块；所述红外非接触温度传感器为MLX90640阵列红外非接触温度传感器。

4.如权利要求3所述单点温度监控的物联网网关，其特征在于，所述宽压电源模块中，输出VCC5V模块，CON3端子(J1)为电源输入端，CON3端子1引脚连接PW1电源降压模块EARTH 

1引脚大地线，CON3端子2引脚连接F1保险丝第一端，F1保险丝的第二端分别连接14D751K压敏电阻第一端、PW1电源降压模块L第二端，CON3端子3引脚分别连接14D751K压敏电阻第二端、PW1电源降压模块N第三端，当14D751K压敏电阻两端的电压小于自身标称电压时，

14D751K压敏电阻阻值很大可视为开路，当14D751K压敏电阻两端电压略大于标称电压时，PW1电源降压模块8引脚为公共电源负极，PW1电源降压模块4引脚输出VCC5V为电源正极。

5.如权利要求3所述单点温度监控的物联网网关，其特征在于，

所述宽压电源模块，输出Vbat电源模块，VCC5V电源正极分别连接E2电解电容第一端、C11无极性电容第一端、P3MIC29302WU低压差线性稳压芯片第1引脚、P3MIC29302WU低压差线性稳压芯片第二引脚；公共电源负极分别连接E2电解电容第二端、C11无极性电容第二端、P3MIC29302WU低压差线性稳压芯片第3引脚、P3MIC29302WU低压差线性稳压芯片第6引脚，P3MIC29302WU低压差线性稳压芯片第1引脚为芯片启动引脚是高电平启动，P3MIC29302WU低压差线性稳压芯片第2引脚为芯片电源输入供电端，P3MIC29302WU低压差线性稳压芯片第4引脚为Vbat电源正极输出端，P3MIC29302WU低压差线性稳压芯片第5引脚为芯片电压调控端，P3MIC29302WU低压差线性稳压芯片第4引脚输出端分别连接R12电阻第一端、R13电阻第一端、E3电解电容第一端、C12无极性电容第一端、C 13无极性电容第一端、C14无极性电容第一端、D2齐纳稳压管阴极第一端，P3MIC29302WU低压差线性稳压芯片第5引脚分别连接R12电阻第二端、R14电阻第一端，公共电源负极分别连接R14电阻第二端、R13电阻第二端、E3电解电容第二端、C12无极性电容第二端、C13无极性电容第二端、C14无极性电容第二端、D2齐纳稳压管阳极第二端，其R12电阻、R14电阻为分压电阻，当P3MIC29302WU低压差线性稳压芯片第四引脚不输出电压时，R13电阻可作为消荷电阻使用可以快速消除E3电解电容、C12无极性电容、C13无极性电容、C14无极性电容两端储存的电荷；优选的是，P3MIC29302WU低压差线性稳压芯片第4引脚Vbat电源正极分别连接M5313通讯模块第24引脚、第25引脚、D5发光二极管阳极第一端。

6.如权利要求3所述单点温度监控的物联网网关，其特征在于，

所述宽压电源模块中，输出VCC3V3电源模块，VCC5V电源正极分别连接C15无极性电容第一端、E4电解电容第一端、电源降压芯片第3引脚，公共电源负极分别连接C15无极性电容第二端、E4电解电容第二端、电源降压芯片第1引脚、E5电解电容第二端、C 16无极性电容第二端，LM1117电源降压芯片第2引脚为VCC3V3分别连接E5电解电容第一端、C16无极性电容第一端，LM1117电源降压芯片将VCC5V电源电压降至VCC3V3电源电压；优选的是，VCC5V电源正极连接D3发光二极管第一端阳极，D3发光二极管第二端阴极连接R15电阻第一端，R15电阻第二端连接公共电源负极，其R15电阻为限流电阻，D3发光二极管为电源指示灯。

7.如权利要求3所述单点温度监控的物联网网关，其特征在于，还包括上位机调试端口MICRO-USB，MICRO-USB端口第5引脚、第6引脚、第7引脚分别连接公共电源负极，MICRO-USB端口第1引脚连接R3电阻第一端，R3电阻第二端连接VCC5V电源正极，MICRO-USB端口第2引脚USB-N连接CH340G芯片UD-6引脚；优选的是，MICRO-USB端口第三引脚USB-P连接CH340G芯片UD+5引脚。

8.如权利要求7所述单点温度监控的物联网网关，其特征在于，所述CH340G芯片16引脚分别连接C19退耦电容第一端、VCC3V3电源正极，CH340G芯片4引脚连接C20退耦电容第一端，公共电源负极分别连接C19退耦电容第二端、C20退耦电容第二端、CH340芯片1引脚，CH340G芯片7引脚分别连接CRY2晶振元件第一端、C21震荡电容第一端，CH340G芯片8引脚分别连接CRY2晶振元件第二端、C22震荡电容第一端，公共电源负极分别连接C21震荡电容第二端，C22震荡电容第二端，其CRY2晶振元件给CH340G芯片提供时钟信号；优选的是，CH340G芯片2引脚连接STM32F103C8T6芯片第13引脚，CH340G芯片3引脚连接STM32F103C8T6芯片第

12引脚。

9.如权利要求7所述单点温度监控的物联网网关，其特征在于，所述M5313通讯模块第1引脚连接R16电阻第二端，R16电阻第一端连接STM32F103C8T6芯片第31引脚，M5313通讯模块第2引脚分别连接R18电阻第二端、R19下拉电阻第二端，R19下拉电阻第一端连接公共电源负极，R18电阻第一端连接STM32F103C8T6芯片第30引脚，其R19下拉电阻目的是加强抗干扰能力，M5313通讯模块第1引脚是将实时数据发送给STM32F103C8T6芯片第31引脚，M5313通讯模块第2引脚实时接收STM32F103C8T6芯片第30引脚的数据；优选的是，M5313通讯模块第22引脚连接R22电阻第一端，R22电阻第二端分别连接R25下拉电阻第一端、Q3贴片三极管(型号：9013M-H)基极，公共电源负极分别连接R25下拉电阻第二端、贴片三极管发射极、C23无极性电容第二端；优选的是，VCC3V3电源正极连接R21上拉电阻第一端，R21上拉电阻第二端分别连接Q3贴片三极管集电极、C23无极性电容第一端、STM32F103C8T6芯片第32引脚，其M5313通讯模块22引脚输出工作状态电平信号给Q3贴片三极管的基级，当Q3贴片三极管基极接收到上拉信号时，三极管集电极输出下拉信号，反之当Q3贴片三极管基极接收到下拉信号时，三极管集电极输出上拉信号，由STM32F103C8T6芯片第32引脚来判断信号的方向从而决定M5313通讯模块工作状态，M5313通讯模块第5引脚连接STM32F103C8T6芯片第26引脚，M5313通讯模块第11引脚分别连接MICRO-SIM卡槽第1引脚、D4齐纳稳压管阴极第一端、C17无极性电容第一端、C18无极性电容第一端，其M5313模块第11引脚为MICRO-SIM卡槽一引脚提供供电电源，M5313通讯模块第12引脚连接MICRO-SIM卡槽第3引脚；进一步优选是，M5313通讯模块第12引脚给MICRO-SIM卡槽第3引脚提供时钟信号，M5313通讯模块第13引脚连接MICRO-SIM卡槽第2复位引脚，M5313通讯模块10引脚连接MICRO-SIM卡槽第6引脚进行数据传输，公共电源负极分别连接MICRO-SIM卡槽第4引脚、第8引脚、第7引脚、D4齐纳稳压管阳极第二端、C17无极性电容第二端、C18无极性电容第二端，M5313通讯模块第30引脚、第

26引脚、第27引脚、第29引脚、第8引脚连接公共电源负极，M5313通讯模块第24引脚、第25引脚由P3MIC29302WU低压差线性稳压芯片第4引脚Vbat端进行电源供电，M5313通讯模块第21引脚连接R23电阻第一端，R23电阻第二端分别连接Q2贴片三极管基级、R24下拉电阻第一端，公共电源负极分别连接R24下拉电阻第二端、Q2贴片三极管发射极，Vbat电源正极连接D5发光二极管阳极；再进一步优选的是，D5发光二极管阴极连接R20电阻第一端，R20电阻第二端连接Q2贴片三极管集电极，其M5313通讯模块第二十一引脚为网络状态电平信号输出端，当Q2贴片三极管基极接收到高电平时，Q2贴片三极管集电极输出低电平，D5发光二极管点亮，当Q2贴片三极管基级接收到低电平时，Q2贴片三极管可视为开路，集电极不输出低电平时，D5发光二极管熄灭，M5313通讯模块第28引脚分别连接L2电感第一端、R17电阻第一端，公共电源负极分别连接L2电感第二端、L3电感第二端、ANTENNA天线端子第二引脚、第三引脚、第四引脚、第五引脚，R17电阻第二端分别连接L3电感第一端、ANTENNA天线端子第一引脚。

10.如权利要求7所述单点温度监控的物联网网关，其特征在于，93LC66B电可擦除可编程只读存储器第一引脚连接STM32F103C8T6芯片第14引脚，93LC66B电可擦除可编程只读存储器第2引脚连接STM32F103C8T6芯片第15引脚，93LC66B电可擦除可编程只读存储器第3引脚连接STM32F103C8T6芯片第16引脚，93LC66B电可擦除可编程只读存储器第4引脚连接STM32F103C8T6芯片第17引脚，93LC66B电可擦除可编程只读存储器第8引脚、C4无极性电容第一端连接VCC3V3电源正极，93LC66B电可擦除可编程只读存储器第5引脚、C4无极性电容第二端连接公共电源负极；

优选的是，JWT1测温图像传感器第1引脚连接VCC3V3电源正极，JWT1测温图像传感器第

4引脚连接公共电源负极，JWT1测温图像传感器第2引脚连接STM32F103C8T6芯片第34引脚，JWT1测温图像传感器第3引脚连接STM32F103C8T6芯片第37引脚，其STM32F103C8T6芯片第

34引脚、第37引脚通过IIC数据总线访问测温图像传感器内部RAM中的红外阵列即可实时获取测温图像，JWT1测温图像传感器为MLX90640测温图像传感器，实现了两种测温模式互选。

优选的是，STM32F103C8T6芯片第7引脚分别连接R7上拉电阻第一端、C 10无极性电容第一端，R7上拉电阻第二端连接VCC3V3电源正极，C10无极性电容第二端连接公共电源负极，STM32F103C8T6芯片第1引脚连接R6电阻第一端，R6电阻第二端连接VCC3V3电源正极，STM32F103C8T6芯片第44引脚连接R5电阻第一端，R5电阻第二端连接公共电源负极，STM32F103C8T6芯片第八引脚、C9无极性电容第二端分别连接公共电源负极，STM32F103C8T6芯片第9引脚、C9无极性电容第二端分别连接VCC3V3电源正极，公共电源负极连接STM32F103C8T6芯片第23引脚、第35引脚、第47引脚、C6无极性电容第二端、C7无极性电容第二端、C8无极性电容第二端，VCC3V3电源正极分别连接STM32F103C8T6芯片第24引脚、第36引脚、第48引脚、C6无极性电容第一端、C7无极性电容第一端、C8无极性电容第一端，STM32F103C8T6芯片第六引脚分别连接CRY1晶振元件第二端、C5震荡电容第一端，STM32F103C8T6芯片第五引脚分别连接CRY1晶振元件第一端、C3震荡电容第一端，公共电源负极连接C3震荡电容第二端、C5震荡电容第二端，STM32F103C8T6芯片第四引脚分别连接Y1晶振元件第一端、C1震荡电容第一端，STM32F103C8T6芯片第三引脚分别连接Y1晶振元件第二端、C2震荡电容第一端，公共电源负极连接C1震荡电容第二端、C2震荡电容第二端。