1.一种激光熔覆原位合成陶瓷相增强铜基熔覆层的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：S1、基体预处理

将纯铜基体工作表面，用砂纸打磨、除油、除锈、清洗，得到清洁表面，然后黑化处理；

S2、配制熔覆粉末

配制含Mo粉、SiC粉、Ni粉和Cu粉的熔覆粉末，其中，Mo和SiC的含量占熔覆粉末的10‑

30wt.％，Ni粉占熔覆粉末的30‑40wt.％，余量为Cu粉；

按照反应5Mo+2SiC＝MoSi2+2Mo2C进行化学计量比配比，即Mo占85.67wt.％、SiC占

14.33wt.％；

所述步骤S2中Mo粉、SiC粉、Cu粉、Ni粉的粒度为200～300目；

S3、混粉并干燥

将步骤S2配制的熔覆粉末利用V型混料机混粉，然后将混合粉末干燥；

S4、激光熔覆

在保护气氛围下，采用同轴送粉嘴同步送粉进行激光熔覆，熔覆粉末在激光作用下进行原位反应，生成多相陶瓷；

所述步骤S4中激光功率为2000～2400W、扫描速度为2～3mm/s、光斑直径为3mm、送粉速率为2～4g/min、氩气流量为4～5L/min，搭接率为50％。

2.根据权利要求1所述的一种激光熔覆原位合成陶瓷相增强铜基熔覆层的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中黑化处理指在纯铜基体工作表面均匀涂刷一层碳素墨水。

3.根据权利要求1所述的一种激光熔覆原位合成陶瓷相增强铜基熔覆层的制备方法，其特征在于：所述步骤S3中V型混料机的转速为20rpm，混粉时间4h。

4.根据权利要求1所述的一种激光熔覆原位合成陶瓷相增强铜基熔覆层的制备方法，其特征在于：所述步骤S3中在真空条件下干燥，干燥温度120℃，干燥时间120min。

5.根据权利要求1所述的一种激光熔覆原位合成陶瓷相增强铜基熔覆层的制备方法，其特征在于：所述步骤S4中激光熔覆采用半导体光纤激光器，波长为1064nm，保护气为氩气。