1.一种调控高定向热解石墨表面缺陷位电荷密度和缺陷位数量的方法，其特征在于，包括以下步骤；

将钨丝在无机碱性溶液进行电化学腐蚀后退火脱气，得到扫描隧道显微镜探针；

利用氮离子束低能轰击高定向热解石墨表面，得到轰击后高定向热解石墨，所述氮离子束的能量为230～250eV；

利用所述扫描隧道显微镜探针对所述轰击后高定向热解石墨进行扫描隧道测试，实现对高定向热解石墨表面上缺陷位电荷密度和缺陷位数量的调控，所述扫描隧道测试的偏压为0.03～1V。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氮离子束的流量是0.1～0.3nA/cm2。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述扫描隧道测试的隧穿电流为0.2～

2nA。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电化学腐蚀的电压为8～10V，时间为

15～20min。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火脱气的温度为450～500K，时间为

30～35min，真空度为1×10-9mbar～9×10-9mbar。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述无机碱性溶液为氢氧化钠溶液，所述氢氧化钠溶液的浓度为1.8～2.2mol/L。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述低能轰击的时间为3～6s。

8.根据权利要求1或7所述的方法，其特征在于，所述低能轰击时的压强为4×10-5～6×

10-5mbar。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述偏压为0.1、0.146、0.2、0.4、0.5或

0.8V。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述高定向热解石墨的大小为5mm×3mm。