1.一种LED紫外芯片质量的评价方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、将待测芯片固晶在封装支架上，并实现待测芯片和封装支架之间的电路导通；

S2、通过点胶工艺将硅胶涂覆于待测芯片上，以制成待测封装体，所述硅胶将待测芯片完全覆盖住；

S3、在恒温环境中，对待测封装体进行通电点亮测试；待点亮N小时后，待测芯片产生的热量以及紫外线使覆盖在其上的硅胶部分碳化，取出待测封装体，拍摄并记录待测封装体实验后的图片；

S4、观察待测封装体实验后的图片,并根据图片中硅胶碳化部分的碳化程度及碳化分布均匀性来判断LED紫外芯片的质量，其中碳化的图像即展示了芯片的热量、紫外线分布情况，碳化图形分布越均匀，且碳化程度越小，说明芯片质量越好；反之，碳化图形分布不均匀，且碳化越明显，说明芯片质量越差。

2.根据权利要求1所述的评价方法，其特征在于：所述步骤S3中，待测封装体通道点亮测试的电流为待测芯片额定电流的1.5～2.0倍。

3.根据权利要求1所述的评价方法，其特征在于：所述步骤S2中硅胶的厚度高于芯片厚度1～2mm。