1.一种alpha相氧化镓薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、对m面蓝宝石衬底进行清洗，吹干后放入衬底托盘；

步骤二、将衬底载入真空室，待真空室的真空度达到3×10-6 Pa后，通入高纯氩气，气体流量控制在40 sccm，调节真空室真空度为1Pa；

步骤三、对高纯Ga2O3陶瓷靶材进行预处理；

步骤四、采用磁控溅射法在衬底上沉积薄膜，衬底温度为25摄氏度，射频功率设置为

40W，沉积时间为2小时；

步骤五、将制备好的薄膜放入管式炉中进行后退火处理，后退火温度为500-800摄氏度，退火时间为2小时。

2.根据权利要求1所述alpha相氧化镓薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤一中，将衬底分别在丙酮、无水乙醇和去离子水中超声清洗15分钟后用氮气吹干。

3.根据权利要求1所述alpha相氧化镓薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤四中，沉积薄膜时靶材和衬底的距离为6.5 cm。

4.根据权利要求1所述alpha相氧化镓薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤四中，获得薄膜厚度为300nm。

5.根据权利要求1所述alpha相氧化镓薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤五中，退火气氛为高纯氧气。