1.一种晶体高饱和度连续快速生长的控制方法，其特征在于，

该方法是通过晶体高饱和度连续快速生长系统实现的，所述的晶体高饱和度连续快速生长系统包括检测装置、执行装置、控制装置和晶体生长装置；检测装置包括培养罐热电阻、过热过滤箱热电阻、过热过滤箱三点式液位传感器、溶液配制罐热电阻、高饱和度平衡箱热电阻、高饱和度平衡箱三点式液位传感器；执行装置包括载晶架交流电机、培养罐电加热器、培养罐水循环泵、培养罐电磁阀、过热过滤箱电加热器、过热过滤箱水循环泵、过热过滤箱电磁阀、溶液配制罐电加热器、溶液配制罐水循环泵、溶液配制罐电磁阀、高饱和度平衡箱电加热器、高饱和度平衡箱水循环泵、高饱和度平衡箱电磁阀和生长溶液输送泵；控制装置包括PLC主机模块、触摸屏、热电阻输入模块、12个固态继电器和二台变频器；晶体生长装置包括带夹套的培养罐、培养罐载晶架、过热过滤箱、带夹套的溶液配制罐、放置晶体原料的托盘、高饱和度平衡箱和生长溶液循环装置；

所述的一种晶体高饱和度连续快速生长的控制方法，具体包括以下步骤：

(1)培养罐中装入生长溶液，晶核放到载晶架上后，系统进入运行准备状态，在触摸屏上进行初始设定值的设定：培养罐内生长溶液温度T1(0)，单位为℃，二位小数；培养罐内生长溶液温度上限T1max，培养罐内生长溶液温度下限T1min；培养罐内晶体比生长速率E(0)，单位为％，二位小数，培养罐内晶体比生长速率上限Emax，培养罐内晶体比生长速率下限Emin；

培养罐内晶体比体积生长速率F(0)，单位为％，二位小数，培养罐内晶体比体积生长速率上限Fmax，培养罐内晶体比体积生长速率下限Fmin；培养罐内晶体总高度H1(0)、培养罐内晶体的下半部立方体的高度H2(0)和宽度D(0)，单位为mm，一位小数；培养罐内晶体的最大生长3

宽度Dmax，单位为mm，一位小数；培养罐内生长晶体的体积V(0)，单位为mm ，二位小数；溶液配制罐内生长溶液温度T4(0)，单位为℃，二位小数；溶液配制罐内生长溶液温度上限T4max，溶液配制罐内生长溶液温度下限T4min；过热过滤箱热水温度为T2(0)＝T1(0)+8.00，单位为℃，二位小数；高饱和度平衡箱热水温度为T3(0)＝T1(0)+0.10，单位为℃，二位小数；生长溶液输送泵的转速R(0)，单位为转/分钟，一位小数；生长溶液输送泵的转速上限Rmax，生长溶液输送泵的转速下限Rmin；

k是自然数，代表离散时刻，k∈[0,2400]；

(2)系统进入自动运行状态，计时器T开始计时；

(3)PLC主机模块通过变频器1控制载晶架交流电机带动载晶架以每分钟30转的速度顺时针旋转20圈，然后停止20秒，再以每分钟30转的速度逆时针旋转20圈，停止20秒；以此方法顺时针旋转、停止、逆时针旋转、停止，循环运行，使培养罐中的生长溶液与晶核充分接触；

旋转停止时通过晶体尺寸视觉测量装置在线检测生长晶体的尺寸：总高度H1(k)、晶体的下半部立方体的高度H2(k)和宽度D(k)，单位为mm，一位小数；

PLC主机模块检测培养罐内生长溶液的温度，通过控制培养罐夹套内的电加热器先加热夹套中的水，再通过罐壁热交换使培养罐内生长溶液的温度控制为T1(k)，控制精度为±

0.01℃；控制溶液配制罐内生长溶液温度为T4(k)，过热过滤箱热水温度为T2(k)，高饱和度平衡箱热水温度为T3(k)，生长溶液输送泵的转速为R(k)；

其中：T1(k)为k时刻的培养罐内生长溶液温度设定值，H1(k)为k时刻的晶体总高度检测值，D(k)为k时刻的晶体宽度检测值，H2(k)为k时刻的晶体下半部立方体的高度检测值；T4(k)为k时刻的溶液配制罐内生长溶液温度设定值，T2(k)为k时刻的过热过滤箱热水温度设定值，T3(k)为k时刻的高饱和度平衡箱热水温度设定值，R(k)为k时刻的生长溶液输送泵的转速设定值；

计算k时刻生长晶体的体积

(4)判断计时器T等于1小时是否成立，不成立则转到步骤(3)；成立则转到步骤(5)；

(5)判断计时器k≥24是否成立，不成立则转到步骤(16)；成立则计算k时刻晶体比生长速率 晶体比体积生长速率 转到步骤(6)；

(6)判断计时器k＜2400或D(k)＜Dmax是否成立，不成立则转到步骤(17)；成立则转到步骤(7)；

(7)判断E(k)≥Emax且T1(k)＜T1max是否成立，成立则当T1(k)＞T1max则T1(k)＝T1max，转到步骤(8)；不成立则转到步骤(8)；

(8)判断E(k)≥Emax且T1(k)＝T1max是否成立，成立则当T4(k)＜T4min则T4(k)＝T4min，转到步骤(9)；不成立则转到步骤(9)；

(9)判断E(k)≤Emin且T1(k)＞T1min是否成立，成立则当T1(k)＜T1min则T1(k)＝T1min，转到步骤(10)；不成立则转到步骤(10)；

(10)判断E(k)≤Emin且T1(k)＝T1min是否成立，成立则当T4(k)＞T4max则T4(k)＝T4max，转到步骤(11)；不成立则转到步骤(11)；

(11)判断E(k)≥Emax，且T1(k)＝T1max，且T4(k)＝T4min是否成立，成立则当R(k+1)＜Rmin则R(k+1)＝Rmin，转到步骤(12)；不成立则转到步骤(12)；

(12)判断E(k)≤Emin，且T1(k)＝T1min，且T4(k)＝T4max是否成立，成立则当R(k+1)＞Rmax则R(k+1)＝Rmax，转到步骤(13)；不成立则转到步骤(13)；

(13)判断F(k)≥Fmax是否成立，成立则 当R(k+1)＜

Rmin则R(k+1)＝Rmin，转到步骤(14)；不成立则转到步骤(14)；

(14)判断F(k)≤Fmin是否成立，成立则 当R(k+1)＞

Rmax则R(k+1)＝Rmax，转到步骤(15)；不成立则转到步骤(15)；

(15)计时器T清零，T2(k+1)＝T1(k+1)+8.00，T3(k+1)＝T1(k+1)+0.10，k＝k+1，计时器T开始计时；转到步骤(3)；

(16)晶体生长结束。