1.一种基于苯硫醇衍生物的量子点发光二极管，其特征在于：所述量子点发光二极管从下至上依次包括阳极基板、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和金属阴极，还包括在空穴传输层靠近量子点发光层的表面设置的第一苯硫醇衍生物材料层和在电子传输层靠近量子点发光层的表面设置的第二苯硫醇衍生物材料层，或者，在电子传输层靠近量子点发光层的表面设置的第二苯硫醇衍生物材料层；

所述第一苯硫醇衍生物材料层选择正偶极矩分子制成；

所述第二苯硫醇衍生物材料层选择负偶极矩分子制成，所述负偶极矩分子的苯硫醇衍生物包括4‑甲氧基苯硫醇、4‑甲基苯硫醇中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的基于苯硫醇衍生物的量子点发光二极管，其特征在于：所述第一苯硫醇衍生物材料层的厚度<10nm，所述第二苯硫醇衍生物材料层的厚度<10 nm。

3.根据权利要求1所述的基于苯硫醇衍生物的量子点发光二极管，其特征在于：所述正偶极矩分子的苯硫醇衍生物包括4‑氟苯硫醇、4‑氯苯硫醇或4‑硝基苯硫醇中的至少一种。

4.根据权利要求1‑3任一所述的基于苯硫醇衍生物的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于包括以下步骤：S10、提供一阳极基板；

S20、在所述阳极基板上制备空穴传输层；

S30、在所述空穴传输层表面制备第一苯硫醇衍生物材料层；

S40、在所述第一苯硫醇衍生物材料层上制备量子点发光层；

S50、在所述量子点发光层上制备第二苯硫醇衍生物材料层；

S60、在所述第二苯硫醇衍生物材料层上制备电子传输层；

S70、在所述电子传输层上沉积金属阴极。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：所述S30的制备步骤如下：配置含有苯硫醇衍生物的溶液，将所述溶液沉积在空穴传输层表面，然后进行退火处理；其中，溶液中的溶剂为有机溶剂。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于：所述S30溶解在有机溶剂中的苯硫醇衍生物的浓度为0 .4   1 .6mg/mL。

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7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于：所述S30制备苯硫醇衍生物材料层的方法包括溶液成膜法、旋涂法、印刷法、刮涂法、浸渍提拉法、浸泡法、喷涂法、滚涂法、浇铸法、狭缝式涂布法或条状涂布法。

8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于：所述退火处理的温度为60～150℃，退火处理的时间为5～30min。

9.根据权利要求5‑8任一所述的制备方法，其特征在于：所述S50在所述量子点发光层上制备第二苯硫醇衍生物材料层的方法同第一苯硫醇衍生物材料层相同。