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专利号: 2020109141227
申请人: 浙江科技学院
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2025-10-14
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.基于超构材料的太赫兹电磁吸收器,包括以水平方向截面为正方形的介质层(1),其特征在于:所述介质层(1)的底面设有吸收底层(2);所述介质层(1)的表面设有材质为氧化铟锡的贴片层(3);所述的贴片层(3)包括设置在位于介质层表面中心位置的正方形贴片(4),正方形贴片(4)的外侧设有与正方形贴片(4)同中心的环形贴片(5),环形贴片(5)的外侧设有与环形贴片(5)同中心的且呈正方形的框型贴片(6);所述介质层(1)的长度为500μm,厚度为80μm;所述吸收底层(2)的长度为500μm,厚度为0.2μm;所述贴片层(3)的厚度为

0.2μm;所述正方形贴片(4)的长度为200μm;所述环形贴片(5)的外半径为175μm,内半径为

150μm;所述框型贴片(6)的外边框长为450μm,内边框长为400μm。

2.根据权利要求1所述的基于超构材料的太赫兹电磁吸收器,其特征在于:所述介质层(1)的材质为玻璃材料,介质层(1)的介电常数为4.41;介质层(1)的损耗正切角为0.0004。

3.根据权利要求1所述的基于超构材料的太赫兹电磁吸收器,其特征在于:所述介质层(1)上设有框形贴片槽(7)、环形贴片槽(8)和方形贴片槽(9);所述框形贴片槽(7)和环形贴片槽(8)之间的介质层表面设有石墨烯层(9),所述石墨烯层(9)的四条边沿中部分别设有波浪形的拓扑边界(10);所述框形贴片(6)的四条边的内侧设有与拓扑边界(10)相配合的共振边界(11)。

4.根据权利要求3所述的基于超构材料的太赫兹电磁吸收器,其特征在于:所述石墨烯层(9)的四角处分别设有透射孔点阵(12),每个角处的透射孔点阵(12)呈正三角矩阵状;四个所述的透射孔点阵(12)之间构成阵列栅。