1.一种可调控拓扑光子晶体边界态的光波导结构，其特征在于，包括上金属板、下金属板、若干圆柱形介质柱、背景材料和壳体；

所述上金属板和所述下金属板设置于所述壳体内，若干圆柱形介质柱设置于所述上金属板和所述下金属板之间，所述圆柱形介质柱的两端分别与所述上金属板和所述下金属板连接，所述背景材料为液晶材料；

若干圆柱形介质柱分为A部分和B部分，A部分由具有平庸拓扑性质的晶胞排列构成，B部分由具有非平庸拓扑性质的晶胞排列构成，所有晶胞均由六个半径为0.12a的圆柱形介质柱排列构成，晶胞的横截面为正六边形，晶胞的中心到晶胞内圆柱形介质柱的距离半径为R，相邻两个晶胞的中心间距为晶格常数a，平庸拓扑性质的晶胞满足a/R＝3.36，非平庸拓扑性质的晶胞满足a/R＝2.8。

2.根据权利要求1所述的可调控拓扑光子晶体边界态的光波导结构，其特征在于，所述圆柱形介质柱的材料为普通硅材料，折射率为3.42，所述圆柱形介质柱的高度为2a。

3.根据权利要求1所述的可调控拓扑光子晶体边界态的光波导结构，其特征在于，所述背景材料为E7液晶材料，在所述上金属板和所述下金属板之间无外加电压的情况下，所述背景材料的折射率为1.51，在所述上金属板和所述下金属板之间有外加电压的情况下，所述背景材料的折射率为1.69。

4.根据权利要求1所述的可调控拓扑光子晶体边界态的光波导结构，其特征在于，所述上金属板和所述下金属板的长均为16a，宽均为6.2a。

5.根据权利要求4所述的可调控拓扑光子晶体边界态的光波导结构，其特征在于，a＝

800nm。

6.根据权利要求1所述的可调控拓扑光子晶体边界态的光波导结构，其特征在于，A部分由三层具有平庸拓扑性质的晶胞排列构成，B部分由四层具有非平庸拓扑性质的晶胞排列构成。