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专利号: 2020108651114
申请人: 浙江工业大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2026-08-19
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种三维导电MOF@MXene复合电极的原位制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)在质量分数40%的HF溶液中加入MAX相粉末刻蚀5‑24 h后,去离子水离心洗涤至上层溶液pH为6‑7,真空烘干得多层MXene粉末;所述MXene为Ti2CTx、Ti3C2Tx、Nb2CTx、Ti3CNTx、V2CTx、Mo2CTx、Ti4N3Tx中的一种;

(2)取步骤(1)制得的多层MXene粉末均匀分散在去离子水中,加入氯乙酸后室温搅拌,再加入NaOH溶液,搅拌反应1‑12 h后离心洗涤,真空干燥得MXene‑COOH粉末;

(3)将步骤(2)制得的MXene‑COOH粉末分散于去离子水中,依次加入金属盐、配体和氨水,50‑70 ℃鼓气搅拌反应,鼓的气体为体积比(1‑5):(0.1‑2)的N2/O2混合气,最后离心洗涤、烘干得三维导电MOF@MXene复合粉末。

2.根据权利要求1所述的一种三维导电MOF@MXene复合电极的原位制备方法,其特征在于,步骤(1)所述MAX相粉末和HF溶液投料比为1 g MAX相粉末:(5‑20 mL) HF溶液。

3.根据权利要求1所述的一种三维导电MOF@MXene复合电极的原位制备方法,其特征在于,步骤(2)中MXene与氯乙酸的投料质量比为(0.2‑2):(2‑50)。

4.根据权利要求1所述的一种三维导电MOF@MXene复合电极的原位制备方法,其特征在于,步骤(2)所述NaOH溶液的浓度为1‑10 mol/L。

5.根据权利要求1或4所述的一种三维导电MOF@MXene复合电极的原位制备方法,其特征在于,步骤(3)所述金属盐为六水合氯化镍、配体为HATP·6H2O。

6.根据权利要求1所述的一种三维导电MOF@MXene复合电极的原位制备方法,其特征在于,步骤(3)中MXene‑COOH、金属盐和配体的投料质量比为(0.2‑4):(0.5‑5):(1‑6)。

7.根据权利要求1或6所述的一种三维导电MOF@MXene复合电极的原位制备方法,其特征在于,步骤(3)所述导电MOF为Cu3(HHTP)2、Co‑HAB、Ni3(HITP)2、Fe2(BDP)3中的一种。