1.一种感应结太阳电池，其特征在于：所述太阳电池包括p型半导体衬底，所述衬底下方设有下电极，所述衬底的上方设有感应层，所述感应层的上方设有上电极，所述感应层自下而上包括过渡层、电荷增强层和抗反射层；所述电荷增强层成分为氯化铷、氯化钙、氯化钾和氯化镁一种或几种。

2.根据权利要求1所述的感应结太阳电池，其特征在于：所述p型半导体衬底为单晶硅、非晶硅、多晶硅、锗、III‑VI族化合物、II‑VII族化合物中的一种。

3.根据权利要求1所述的感应结太阳电池，其特征在于：上下电极为Al、Ni、Cr、Au、Ti、Pd、Ag中的一种或几种。

4.根据权利要求1所述的感应结太阳电池，其特征在于：所述过渡层为氧化硅或氮氧化硅薄膜。

5.根据权利要求1所述的感应结太阳电池，其特征在于：所述抗反射层为氮化硅薄膜。

6.一种如权利要求1‑5任一项所述的感应结太阳电池的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：（1）先在待处理p型半导体衬底正面通过化学气相沉积、溅射、直接氧化/氮化方法生长氮氧化硅薄膜作为过渡层，然后在待处理p型半导体衬底背面通过磁控溅射、热蒸发或电子束蒸发方法生长金属作为下电极；或先在待处理p型半导体衬底背面通过磁控溅射、热蒸发或电子束蒸发方法生长金属作为下电极，再进行第一步退火处理，第一步退火处理会在衬底正面形成氧化硅薄膜，该薄膜作为过渡层；

（2）在步骤（1）的过渡层上通过旋涂工艺、磁控溅射、热蒸发或电子束蒸发工艺生长电荷增强层；所述电荷增强层成分为氯化铷、氯化钙、氯化钾和氯化镁一种或几种；

（3）在步骤（2）的电荷增强层上通过磁控溅射、热蒸发或电子束蒸发方法生长金属作为上电极；

（4）通过物理气相沉积或化学气相沉积工艺在电荷增强层未被上电极覆盖的区域生长抗反射层；

（5）经第二步退火处理得到感应结太阳电池。

7.根据权利要求6所述的感应结太阳电池的制备方法，其特征在于：所述第一步退火处理温度为400~700℃，退火处理时间10~120分钟，退火气氛为H2、NH3、保护性气体中一种或混合气体。

8.根据权利要求6所述的感应结太阳电池的制备方法，其特征在于：所述第二步退火处理温度为150~500℃，退火处理时间5~60分钟，退火气氛为H2、NH3、保护性气体中一种或混合气体。