1.一种纳米银负载石墨烯与量子点共掺杂的聚合物，其特征在于，由质量份数如下的成分制得：

2.根据权利要求1所述纳米银负载石墨烯与量子点共掺杂的聚合物，其特征在于，所述半导体量子点选自ZnCdSeS/ZnS量子点或钙钛矿半导体量子点，所述钙钛矿半导体量子点为CsPbX3钙钛矿半导体量子点，X选自Cl、Br或I。

3.根据权利要求1所述纳米银负载石墨烯与量子点共掺杂的聚合物，其特征在于，所述光敏聚合物选自聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸甲酯、聚丙烯酸乙酯、聚氨基丙烯酸酯、聚羟丙基丙烯酸酯或聚氨酯丙烯酸酯的一种或几种。

4.根据权利要求1所述纳米银负载石墨烯与量子点共掺杂的聚合物，其特征在于，所述光引发剂选自于苯基双(2,4,6‑三甲基苯甲酰基)氧化膦、2‑羟基‑甲基苯基丙烷‑1酮、1‑羟基环己基苯基酮、安息香双甲醚、2‑苯基苄‑2‑二甲基胺‑1‑(4‑吗啉苄苯基)丁酮或2‑异丙基硫杂蒽酮的一种或几种。

5.根据权利要求1‑4任一项所述纳米银负载石墨烯与量子点共掺杂的聚合物的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)将光敏聚合物与光引发剂共混形成混合溶液；

(2)将半导体量子点加入混合溶液中，进行搅拌，得到溶液A；

(3)将纳米银负载石墨烯加入混合溶液A中，进行搅拌，得到溶液B；

(4)用紫外光对溶液B进行紫外光固化。

6.根据权利要求5所述纳米银负载石墨烯与量子点共掺杂的聚合物的制备方法，其特征在于，所述(2)和(3)中，搅拌的方法为：先进行超声，然后再进行机械搅拌。

7.根据权利要求5所述纳米银负载石墨烯与量子点共掺杂的聚合物的制备方法，其特征在于，所述紫外光的波长为200‑365nm。

8.根据权利要求5所述纳米银负载石墨烯与量子点共掺杂的聚合物的制备方法，其特征在于，所述紫外光固化时间≥5秒。

9.根据权利要求5所述纳米银负载石墨烯与量子点共掺杂的聚合物的制备方法，其特征在于，所述(1)‑(4)步骤在避光下进行。

10.根据权利要求1‑4任一项所述纳米银负载石墨烯与量子点共掺杂的聚合物在随机激光器中的应用。