1.一种“背对称开口方槽”型的太赫兹低通角度滤波器，其特征在于，包括若干个呈周期性排列的“背对称开口方槽”型矩形周期单元，矩形周期单元由超材料结构构成，该矩形周期单元共有两层，由上至下分别是金属图案层(1)、介质基底层(2)，所述金属图案层(1)的图案为背对称的两个开口方槽，金属图案层(1)由与基底大小相同的金属板挖去背对称的两个开口方环形成背对称的开口方槽构成，每个开口方槽中间位置处设置有竖直金属条以将开口方槽均分成两半，金属图案层(1)的作用是增加对斜入射太赫兹波的反射，介质基底层(2)的作用是支撑金属图案层(1)，开口位置位于开口方槽外侧中间位置处，当入射太赫兹波沿-z方向垂直入射到超材料结构的太赫兹角度滤波器时，由于超材料结构的阻抗与自由空间的阻抗相匹配，垂直入射波具有较高的透射率；当太赫兹波倾斜入射到结构上时，入射波的磁场在垂直于结构表面的方向上的分量激发的磁谐振与电谐振实现了对斜入射太赫兹波的高反射。

2.根据权利要求1所述的一种“背对称开口方槽”型的太赫兹低通角度滤波器，其特征在于，所述介质基底层(2)材料为聚酰亚胺、烧融石英、硅中的一种，所述介质基底层的介电常数为2.5～3.75，损耗正切为0.0027～0.30，其厚度为10～100μm，所述介质基底层(2)的周期长度为230～300μm。

3.根据权利要求1所述的一种“背对称开口方槽”型的太赫兹低通角度滤波器，其特征在于，所述的金属图案层(1)的材料为金、银、铜中的一种，厚度为0.05～0.5μm。

4.根据权利要求1所述的一种“背对称开口方槽”型的太赫兹低通角度滤波器，其特征在于，所述金属图案层(1)的开口方槽边长长宽均为85～100μm，方槽宽度为10～30μm，槽开口宽度为10～25μm，方槽中间的槽宽为5～15μm，左右槽之间的间隙宽度为0.1～10μm。

5.根据权利要求1所述的一种“背对称开口方槽”型的太赫兹低通角度滤波器，其特征在于，0.53THz处的滤波角为0°，3dB角域带宽为19.6°，正入射透射率达到85.6％。