1.一种半导体晶圆的密封环结构的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

1)提供一半导体基底，所述半导体基底包括划片区、集成电路区以及位于所述划片区与所述集成电路区之间的密封环区，在所述半导体基底的所述密封环区中形成平行排列的第一凹槽和第二凹槽，其中，所述第一凹槽靠近所述划片区，所述第二凹槽靠近所述集成电路区；

2)接着在所述半导体基底上形成第一掩膜，所述第一掩膜仅暴露所述第一凹槽；

3)接着在所述半导体基底上旋涂含有金属纳米颗粒的溶液，以在所述第一凹槽的底部形成第一金属纳米颗粒层，接着在所述第一金属纳米颗粒层上沉积电介质材料以形成第一电介质层，接着在所述第一电介质层上形成开孔以暴露所述第一金属纳米颗粒层，接着再旋涂含有金属纳米颗粒的溶液，以在所述第一电介质层上和所述开孔中形成第二金属纳米颗粒层，其中，所述第一金属纳米颗粒层、所述第一电介质层以及所述第二金属纳米颗粒层均嵌入到所述第一凹槽中，所述第一、第二金属纳米颗粒层中具有间隙，接着去除所述第一掩膜；

4)接着在所述半导体基底上形成第二掩膜，所述第二掩膜仅暴露所述第二凹槽；

5)接着在所述第二凹槽中沉积金属材料以形成第一金属层，所述第一金属层填满所述第二凹槽，接着去除所述第二掩膜；

6)通过平坦化工艺去除位于所述第一凹槽的外部的第二金属纳米颗粒层以及位于所述第二凹槽的外部的第一金属层；

7)接着在所述第二金属纳米颗粒层上沉积第一金属/介质叠层，以形成第一密封环；并在所述第一金属层上沉积第二金属/介质叠层，以形成第二密封环。

2.根据权利要求1所述的半导体晶圆的密封环结构的制备方法，其特征在于：在所述步骤1)中，所述第一凹槽和所述第二凹槽均通过湿法刻蚀或干法刻蚀形成，所述第一凹槽和所述第二凹槽的深度为1-3微米。

3.根据权利要求1所述的半导体晶圆的密封环结构的制备方法，其特征在于：在所述步骤2)中，首先在所述半导体基底上涂覆光致抗刻蚀剂以形成光致抗刻蚀剂层，接着通过掩膜版使用紫外光照射所述光致抗刻蚀剂层，接着通过显影工艺去除未曝光区域的光致抗刻蚀剂，以暴露所述第一凹槽。

4.根据权利要求1所述的半导体晶圆的密封环结构的制备方法，其特征在于：在所述步骤3)中，所述金属纳米颗粒的材质为金、银、铜、镍、铁、钴、钛、钯中的一种或两种以上的合金，所述金属纳米颗粒的粒径为50-200纳米，所述第一金属纳米颗粒层的厚度为200-600纳米，所述第二金属纳米颗粒层的厚度为600-2000纳米。

5.根据权利要求4所述的半导体晶圆的密封环结构的制备方法，其特征在于：在所述步骤3)中，所述电介质材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化锆以及氧化钽中的一种或多种，所述第一电介质层的制备工艺是等离子体增强化学气相沉积、物理气相沉积、原子层沉积以及化学气相沉积中的一种。

6.根据权利要求1所述的半导体晶圆的密封环结构的制备方法，其特征在于：在所述步骤4)中，首先在所述半导体基底上涂覆光致抗刻蚀剂以形成光致抗刻蚀剂层，接着通过掩膜版使用紫外光照射所述光致抗刻蚀剂层，接着通过显影工艺去除未曝光区域的光致抗刻蚀剂，以暴露所述第二凹槽。

7.根据权利要求1所述的半导体晶圆的密封环结构的制备方法，其特征在于：在所述步骤5)中，所述金属材料包括铜、铝、银、镍、铁、钯、钛、镍中的一种或多种，所述第一金属层通过热蒸镀、电镀、化学镀、磁控溅射或电子束蒸发工艺形成。

8.一种半导体晶圆的密封环结构，其特征在于，采用权利要求1-7任一项所述的方法制备形成的。