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专利号: 202010619523X
申请人: 江西理工大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2026-08-25
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种Bi取代的Mn缺位Mn2Sb基合金,其特征在于,所述合金的化学式为Mn2‑ySb1‑xBix;

其中y为Mn原子的缺位量,x表示Bi对Sb的取代量,0

所述Bi取代的Mn缺位Mn2Sb基合金按照如下步骤制备:步骤一:按照化学计量比称量Mn、Sb、Bi原料;

步骤二:采用电弧熔炼法、感应熔炼、熔体快淬、定向凝固法将所述原料制备为Bi掺杂的Mn缺位Mn2Sb基合金,然后进行热处理,得到Bi取代的Mn缺位Mn2Sb基合金;

采用电弧熔炼法时,所述步骤二中Bi掺杂的Mn缺位Mn2Sb基合金的热处理为均匀化退火,退火温度为500 ℃‑1000 ℃,退火时间为48h‑200h;

所述Bi取代的Mn缺位Mn2Sb基合金为具有一级磁弹性相变的磁相变材料,所述Bi取代的Mn缺位Mn2Sb基合金材料相变附近伴随磁热、巨磁电阻、磁致应变、热膨胀的物理性质。

2.根据权利要求1所述的一种Bi取代的Mn缺位Mn2Sb基合金,其特征在于,所述步骤一中Mn、Sb、Bi金属单质的纯度均超过99.99%。

3.根据权利要求1所述的一种Bi取代的Mn缺位Mn2Sb基合金,其特征在于,所述均匀化退火的退火温度为500 ℃‑800 ℃,退火时间为48h‑120h。

4.根据权利要求1所述的一种Bi取代的Mn缺位Mn2Sb基合金在制备高密度磁存储器件、固态制冷、巨磁阻器件、磁驱动器中的应用。