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专利号: 2020105029088
申请人: 桂林电子科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2025-10-14
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种卤素离子掺杂钛空位二氧化钛的合成方法,其特征在于,包括:量取醇类溶剂和含钛试剂至聚四氟乙烯内衬中;

将聚四氟乙烯内衬转移至环境试验箱中,在环境试验箱第一预设温度下,向溶液中加入含卤素离子试剂,磁力搅拌第一预设时间后得到混合溶液;所述第一预设温度为30~45℃;所述第一预设时间为5~30分钟;

将聚四氟乙烯内衬转移至不锈钢水热釜中,在第二预设温度下进行热处理反应第二预设时间,得到产物;所述第二预设温度为80~110℃,所述第二预设时间为10~28小时;

将所述产物进行离心洗涤干燥后得到卤素离子掺杂钛空位二氧化钛。

2.如权利要求1所述的卤素离子掺杂钛空位二氧化钛的合成方法,其特征在于,所述醇类溶剂、所述含钛试剂、所述含卤素离子试剂的体积比为2~6:1:0.25~2。

3.如权利要求1所述的卤素离子掺杂钛空位二氧化钛的合成方法,其特征在于,所述醇类溶剂为无水乙醇、乙二醇、异丙醇中的一种或几种混合物;所述含钛试剂为钛酸四丁酯、异丙醇钛、四氯化钛中的一种试剂;所述含卤素离子试剂为氢氟酸、盐酸、氢溴酸中的一种氢卤酸;所述卤素离子为氟离子、氯离子或溴离子。

4.如权利要求1所述的卤素离子掺杂钛空位二氧化钛的合成方法,其特征在于,所述卤素离子掺杂钛空位二氧化钛的化学式为TixW1‑xO2‑y‑zMy(OH)z,其中0.8≤x≤

0.95,0.03≤y≤0.4,0≤z≤0.25,W为空位,M为F、Cl或Br。

5.如权利要求1所述的卤素离子掺杂钛空位二氧化钛的合成方法,其特征在于:所述卤素离子掺杂钛空位二氧化钛的晶体结构为金红石型结构,形貌为一次短棒状晶粒构成的微米颗粒,粒径大小为0.5~20μm。

6.一种卤素离子掺杂钛空位二氧化钛的应用,其特征在于,所述卤素离子掺杂钛空位二氧化钛应用于水系铝离子电池。

7.如权利要求6所述的卤素离子掺杂钛空位二氧化钛的应用,其特征在于:所述水系铝离子电池所用的混合盐电解液是由不同的铝盐与无机盐复配得到的,其中所述铝盐包含硝酸铝、氯化铝、硫酸铝中的一种或几种铝盐,所述无机盐包括氯化钾、氯化钠、硫酸钾、硫酸钠、硝酸钾、硝酸钠中的一种或几种无机盐。