1.一种利用温敏电阻实现通带可重构的频率选择结构，包括介质基板，其特征在于所述的介质基板的横截面为正方形，所述的介质基板的上表面附着有正方形铜箔块，所述的正方形铜箔块的边长等于所述的介质基板的边长，所述的正方形铜箔块的前端面与所述的介质基板的前端面位于同一平面，所述的正方形铜箔块的后端面与所述的介质基板的后端面位于同一平面，所述的正方形铜箔块的左端面与所述的介质基板的左端面位于同一平面，所述的正方形铜箔块的右端面与所述的介质基板的右端面位于同一平面，所述的正方形铜箔块上设置有正六边形环状槽，所述的介质基板的上表面在所述的正六边形环状槽处暴露出来，所述的正六边形环状槽将所述的正方形铜箔块分割为位于其外侧的第一铜箔区和位于其内侧的第二铜箔区，所述的第一铜箔区的内侧壁的横截面为正六边形且该正六边形的边长为30.24mm，所述的第二铜箔区的外侧壁横截面为正六边形且该正六边形的边长为21.60mm，所述的介质基板的边长为64.80mm，所述的正六边形环状槽的中心轴线与所述的介质基板的中心轴线重合，所述的第一铜箔区内侧壁的左端面所在平面、所述的第一铜箔区内侧壁的右端面所在平面、所述的第二铜箔区外侧壁的左端面所在平面、所述的第二铜箔区外侧壁的右端面所在平面、所述的介质基板的左端面所在平面和所述的介质基板的右端面所在平面分别平行，将所述的第一铜箔区内侧壁的左端面称为第一内端面，将所述的第一铜箔区的内侧壁中与所述的第一内端面围成一圈的其他五个端面沿顺时针方向依次称为第二内端面、第三内端面、第四内端面、第五内端面和第六内端面，将所述的第二铜箔区外侧壁的左端面称为第一外端面，将所述的第二铜箔区的外侧壁中与所述的第一外端面围成一圈的其他五个端面沿顺时针方向依次称为第二外端面、第三外端面、第四外端面、第五外端面和第六外端面，所述的第一外端面的中心处和所述的第一内端面的中心处通过第一温敏电阻连接，所述的第二外端面的中心处和所述的第二内端面的中心处通过第二温敏电阻连接，所述的第三外端面的中心处和所述的第三内端面的中心处通过第三温敏电阻连接，所述的第四外端面的中心处和所述的第四内端面的中心处通过第四温敏电阻连接，所述的第一温敏电阻、所述的第二温敏电阻、所述的第三温敏电阻和所述的第四温敏电阻的工作温度区间相同，均为负5摄氏度至正300摄氏度。

2.根据权利要求1所述的一种利用温敏电阻实现通带可重构的频率选择结构，其特征在于所述的正方形铜箔块的厚度为0.08mm，所述的介质基板的厚度为3.46mm。