1.一种硅基悬空光子晶体面发射型蓝光激光器，其特征在于，包括硅衬底层；

AlGaN缓冲层，位于硅衬底层之上；

n‑GaN层，位于AlGaN缓冲层之上；

MQWs层，位于波导n‑GaN层之上；

p‑GaN层，位于波导MQWs层之上；

光子晶体层，位于p‑GaN层或p‑GaN层之上；

n‑电极，n‑电极在波导n‑GaN层的表面；

p‑电极，p‑电极在p‑GaN层的表面，所述的硅衬底层，AlGaN缓冲层和n‑GaN层背面中心进行刻蚀和减薄成悬空区，悬空区的硅衬底层、AlGaN全部刻蚀掉，n‑GaN层厚度为20 500 ~

nm，所述MQWs层包括InGaN/GaN成对组成的多层量子阱有源层。

2. 根据权利要求1所述的一种硅基悬空光子晶体面发射型蓝光激光器，其特征在于，所述p‑GaN表面生长的光子晶体层为完全刻蚀透的，厚度为10 250 nm，材料为氮化硅或二~

氧化钛或氧化硅；p‑GaN刻蚀成光子晶体的刻蚀深度为10 500 nm；光子晶体的晶格为正方~

晶格或三角晶格或蜂窝型晶格，周期为150 250 nm，孔半径为10 100 nm。

~ ~

3.根据权利要求1所述的一种硅基悬空光子晶体面发射型蓝光激光器，其特征在于，所述n‑电极和p‑电极采用四周环形电极结构、中心实心电极结构和边角电极结构设计。

4. 根据权利要求1所述的一种硅基悬空光子晶体面发射型蓝光激光器，其特征在于，所述 p‑GaN层厚度为20 500 nm。

~

5.根据权利要求1 4所述的一种硅基悬空光子晶体面发射型蓝光激光器的制备方法，~

包括以下步骤：

步骤（1）：在GaN表面进行电子束光刻，形成光子晶体掩膜结构；

步骤（2）：进行干法刻蚀设定深度的GaN，形成孔洞结构，并去除电子束光刻的电子束胶；

步骤（3）：采用光刻及lift off工艺，在p‑GaN表面设定区域进行p电极的制备；

步骤（4）：采用光刻及Ⅲ‑Ⅴ族刻蚀工艺，由上到下将特定区域刻蚀至n‑GaN层；

步骤（5）：采用光刻及lift off工艺在n‑GaN表面设定区域进行n电极的制备；

步骤（6）：进行p‑GaN表面甩胶保护，硅衬底层底面光刻，与p‑GaN表面对准，定义出圆形孔的悬空区；

步骤（7）：采用硅衬底湿法或干法刻蚀；

步骤（8）：硅衬底层底面进行Ⅲ‑Ⅴ族刻蚀，减薄形成一定厚度的悬空区；

步骤（9）：清洁表面。