1.一种低损耗双频负群时延电路，其特征在于：包括耦合微带线和多条微带传输线，所述耦合微带线的端口1为输入端口、耦合微带线端口2为输出端口，耦合微带线的端口3和端口4之间连接第一微带传输线，耦合微带线的端口5和端口6之间接第二微带传输线，耦合微带线的端口7和端口8之间接第三微带传输线。

2.根据权利要求1所述的低损耗双频负群时延电路，其特征在于：所述第一微带传输线的长度小于第二微带传输线的长度，第二微带传输线与第三微带传输线的尺寸相同。

3.根据权利要求1所述的低损耗双频负群时延电路，其特征在于：所述第二微带传输线与第三微带传输线的结构呈半圆形。

4.根据权利要求1所述的低损耗双频负群时延电路，其特征在于：所述负群时延电路的电路结构为对称结构。

5.根据权利要求1所述的低损耗双频负群时延电路，其特征在于：所述负群时延电路采用FR4板材，板材的厚度为1.6mm，尺寸为61mm×98mm，介电常数为4.4，正切损耗角为0.02，且铜厚为0.035mm。

6.一种根据权利要求1所述低损耗双频负群时延电路的设计方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)利用ADS仿真软件对所述负群时延电路中耦合微带线和多条微带传输线的各项参数进行仿真设计优化，得到负群时延电路各电磁参数的尺寸；

(2)根据优化后的负群时延电路进行实物加工。

7.根据权利要求6所述低损耗双频负群时延电路的设计方法，其特征在于：步骤(1)中，所述负群时延电路在L频段和S频段时，实现双频；在中心频率为1.9GHz时，电路的实测群时延约为-0.95ns，电路的实测损耗S21约为-2.05dB，电路的实测反射S11为-13.4dB；在中心频率为2.55GHz时，电路的实测群时延约为-1.1ns，电路的实测损耗S21约为-2.4dB，电路的实测反射S11为-15.2dB。