1.一种柔性异质纳米片赝电容正极材料，其特征在于制备步骤如下：(1)碳布亲水性及镀银处理：

将碳布裁剪成(0.6～1.2)cm×(1.3～1.8)cm的形状，质量为0.48～0.72g，分别用去离子水、乙醇清洗，烘干后进行强酸刻蚀；

随后缓慢加入1.0～3.0g KMnO4，并将反应物置于水浴锅中30～50℃保持2～4h；最后，将处理后的碳布用去离子水冲洗干净，烘干；

利用磁控溅射的手段在碳布表面镀银，镀膜时间为1～3h；镀银厚度为1～3μm；

(2)超级电容器正极材料锡锑前驱体阵列的制备：将2～4mmol的SnCl2，2～4mmol的SbCl3，2～6mmol的氟化铵以及4～12mmol的尿素分散在含有70mL去离子水中，充分搅拌后，转移到100mL反应釜中，再加入柔性基底碳布，将反应釜密封；在120～140℃下反应6～10h；将生成物用去离子水清洗数次，在40～80℃下真空干燥2～4h；得到锡锑纳米片前驱体纳米阵列；

(3)采用原位还原法制备锡锑合金纳米片阵列：将步骤(2)的产物放入管式炉中，以1～3℃/min的升温速率升温至100～300℃，同时通入H2/Ar气流，还原20～40min；在还原过程中，锡锑纳米片前驱体阵列转变为锡锑合金纳米片阵列，同时没有对纳米片阵列造成损伤；

(4)正极材料锡锑合金‑硫化锡锑异质纳米片的制备：将4～6mmol硫化钠溶液溶于65～75mL去离子水中，转移到100mL反应釜中，再将锡锑合金纳米片阵列放入反应釜中，将反应釜密封；在140～180℃条件下反应6～10h；冷却后，去离子水清洗数次，40～80℃下真空干燥4～8h；得到所述柔性异质纳米片赝电容正极材料。

2.根据权利要求1所述的柔性异质纳米片赝电容正极材料，其特征在于步骤(1)所述强酸刻蚀是指，将碳布浸入15～25mL浓H2SO4和8～15mL浓HNO3混合溶液中磁力搅拌5～15min；

所述浓H2SO4的质量分数为98％；所述浓HNO3的质量分数为68％。

3.根据权利要求1所述的柔性异质纳米片赝电容正极材料，其特征在于步骤(3)所述H2/Ar的体积比为10/90。

4.根据权利要求1所述的柔性异质纳米片赝电容正极材料，其特征在于步骤(4)所述硫化钠溶液的浓度为2～4mol/L。