1.一种宽频低涡流损耗的人工导体，其特征在于，所述人工导体为金属薄膜层和铁磁薄膜层交替层叠形成的金属薄膜层/(铁磁薄膜层/金属薄膜层)n的周期性多层膜结构，其中，第1～n/2层铁磁薄膜层的材料为铁磁材料A，第(n/2+1)～n层铁磁薄膜层的材料为铁磁材料B。

2.根据权利要求1所述的宽频低涡流损耗的人工导体，其特征在于，所述宽频低涡流损耗的人工导体的厚度为3～50微米。

3.根据权利要求1所述的宽频低涡流损耗的人工导体，其特征在于，所述铁磁薄膜层的厚度为50～150nm，金属薄膜层与铁磁薄膜层的厚度比根据需要抑制涡流损耗的频率范围确定。

4.根据权利要求1所述的宽频低涡流损耗的人工导体，其特征在于，所述金属薄膜层和铁磁薄膜层的厚度比为(1～15)：1。

5.根据权利要求1所述的宽频低涡流损耗的人工导体，其特征在于，所述铁磁材料A为Ni-Fe合金、Fe-Co合金、NiFeCo合金、Co-Cu合金、Ni-Cu合金、Fe-Cu合金、NiFeCu合金中的一种，所述铁磁材料B为Ni-Fe合金、Fe-Co合金、NiFeCo、Co-Cu合金、Ni-Cu合金、Fe-Cu合金、NiFeCu合金中的一种，且铁磁材料A和铁磁材料B的自然共振频率相差400～4000MHz。

6.根据权利要求1所述的宽频低涡流损耗的人工导体，其特征在于，所述金属薄膜层为铜、铝、银或金。

7.权利要求1至6任一项所述宽频低涡流损耗的人工导体在射频器件和集成电路中的应用。