1.一种触控装置，其特征在于，包括电容触摸屏，所述电容触摸屏具有视窗区，所述视窗的边缘区域设有至少一个触摸传感单元电极，每一个所述触摸传感单元电极通过一个触摸连接通道(1)连接有一个银浆层(2)，所述银浆层(2)从所述触摸连接通道(1)中引出后与对应的触摸传感单元电极连接，银浆层(2)为双端引出方式，银浆层(2)内设有数量相等的第一银浆激光线(3)和打断银浆激光线(8)，所述第一银浆激光线(3)为一条完整段，所述打断银浆激光线(8)上设有若干拼接切断点，所述拼接切断点将打断银浆激光线(8)分隔成若干段，每一段的打断银浆激光线(8)相互独立且互不连接；

电容触摸屏包括若干激光蚀刻区块，相邻的两块激光蚀刻区块连接在一起，且相邻的两块激光蚀刻区块之间设有拼接线，所述拼接切断点设置在所述拼接线处；

所述打断银浆激光线(8)沿拼接线向两端打断，形成凹陷，所述第一银浆激光线(3)与打断银浆激光线(8)一一对应，构成多组双引出线，同组间第一银浆激光线(3)与打断银浆激光线(8)之间线距为0.01‑0.02mm。

2.根据权利要求1所述的一种触控装置，其特征在于，所述电容触摸屏为GG结构、GF结构、GFF结构、GF2结构或者OGS结构。

3.根据权利要求2所述的一种触控装置，其特征在于，打断银浆激光线(8)设置在激光蚀刻区块内，打断银浆激光线(8)的数量小于等于激光蚀刻区块的数量。

4.一种触控装置的改善双线激光拼接位良率方法，应用于如权利要求3所述的一种触控装置，其特征在于，包括以下步骤：在电容触摸屏的ITO薄膜层上形成ITO线路，所述ITO线路包括ITO电极线和ITO引出线；

利用缩水老化处理使ITO线路上的ITO电极线和ITO引出线完全结晶；

在ITO线路上贴合干膜，进行紫外曝光处理，使所述干膜沿导电线路图案的方向硬化；

将未硬化的所述干膜利用显影液清洗掉，暴露出ITO线路；

将暴露出ITO线路利用蚀刻液蚀刻掉；

对已经硬化的干膜进行退膜处理，使ITO薄膜层上仅存留形成导电线路的ITO线路层；

在形成所述导电线路的ITO线路层的边框区域上印刷导电银胶，对导电银胶进行激光刻蚀以形成银胶搭接线路。

5.根据权利要求4所述的一种触控装置的改善双线激光拼接位良率方法，其特征在于，在形成所述导电线路的ITO线路层的边框区域上印刷导电银胶，对导电银胶进行激光刻蚀以形成银胶搭接线路，具体包括：确定ITO线路层的边框区域的面积，将ITO线路层的边框区域划分为若干面积相等的激光蚀刻区块；

确定相邻两块激光蚀刻区块之间的拼接线；

在ITO线路层的边框区域丝印块状的银浆块和多组双通道的第一银浆激光线(3)和打断银浆激光线(8)；

对所述银浆块、第一银浆激光线(3)和打断银浆激光线(8)进行烘烤，加热烘干，形成银浆层(2)和走线银浆；

将烘干后的打断银浆激光线(8)以拼接线为临界线，将打断银浆激光线(8)分隔成若干段；

对具有银浆块和走线银浆的激光蚀刻区块进行激光蚀刻，形成银胶搭接线路。

6.根据权利要求5所述的一种触控装置的改善双线激光拼接位良率方法，其特征在于，确定ITO线路层的边框区域的面积，将ITO线路层的边框区域划分为若干面积相等的激光蚀刻区块之前，还包括:确定ITO薄膜层的视窗区和非视窗区；

在所述视窗区印刷装饰层；

在所述非视窗区上形成触摸传感单元电极；

在所述印刷装饰层表面印刷激光屏蔽层。

7.根据权利要求5所述的一种触控装置的改善双线激光拼接位良率方法，其特征在于，边缘金属层与触摸传感单元电极搭接。

8.根据权利要求7所述的一种触控装置的改善双线激光拼接位良率方法，其特征在于，在ITO线路层的边框区域丝印块状的银浆块和多组双通道的第一银浆激光线(3)和打断银浆激光线(8)中，是在激光屏蔽层上丝印块状的银浆块和多组双通道的第一银浆激光线(3)和打断银浆激光线(8)。