1.可阵列控制的智能半桥开关模块，其特征在于，包括固定式芯片组，所述固定式芯片组包括2n个IGBT芯片，每个IGBT芯片由一个IGBT和一个二极管并联而成，二极管所在支路中串接有一个电子开关，每个IGBT芯片有三个控制信号，分别为：IGBT门极G控制信号、射极E控制信号以及电子开关的控制信号，所述IGBT门极G控制信号、射极E控制信号以及电子开关的控制信号均由逻辑分配器控制；

所述2n个IGBT芯片两两串联组成n个IGBT芯片单元，所述n个IGBT芯片单元并联形成阵列，所述阵列的上半桥臂的IGBT芯片基极接正DC源，上半桥臂的IGBT芯片发射极和下半桥臂的IGBT芯片的基极均接输出端口，下半桥臂的IGBT芯片的射极接负DC源。

2.根据权利要求1所述的可阵列控制的智能半桥开关模块，其特征在于，还包括可配置式芯片组，所述可配置式芯片组包括若干个并联的IGBT芯片，每个IGBT芯片包括一个IGBT和与其并联的二极管；可配置式芯片组的每个IGBT芯片的基极由一个双向开关与正DC源和交流输出端相连，发射极由另一个双向开关与负DC源和交流输出相连。

3.根据权利要求2所述的可阵列控制的智能半桥开关模块，其特征在于，所述可配置式芯片组中的二极管所在支路串接有一个电子开关。

4.根据权利要求1所述的可阵列控制的智能半桥开关模块，其特征在于，所述二极管所在支路中串接的电子开关为金属‑氧化物半导体场效应晶体管。

5.一种权利要求1或权利要求2所述的可阵列控制的智能半桥开关模块的控制方法，其特征在于，根据所述半桥开关模块的带载状态，来确定投入的IGBT芯片单元的数量，所述半桥开关模块所带负载越大，投入的IGBT芯片单元越多。

6.根据权利要求5所述的可阵列控制的智能半桥开关模块，其特征在于，当需要投入IGBT芯片单元时，选择电流应力小的IGBT芯片单元导通。

7.根据权利要求5所述的可阵列控制的智能半桥开关模块的控制方法，其特征在于，将芯片导通区域划分为N种，根据所述半桥开关模块所带的负载大小，来确定芯片导通区域。

8.根据权利要求7所述的可阵列控制的智能半桥开关模块的控制方法，其特征在于，相邻的芯片导通区域间需具有切换滞环。

9.根据权利要求8所述的可阵列控制的智能半桥开关模块的控制方法，其特征在于，所述切换滞环宽度为1％的额定负载。