1.一种兼具正负电卡效应的钛酸铋钠基薄膜，其特征在于，以钛酸铋钠为基材，B位复合引入铁离子和钨离子。

2.根据权利要求1所述的钛酸铋钠基薄膜，其特征在于，所述的薄膜的组成通式为Na0.5×aBi0.5×b(Ti1-x-yWxFey)O3，其中，1.01≤a≤1.02，1.01≤b≤1.04，0.01≤x≤0.02，0.01≤y≤0.02。

3.一种权利要求1所述的钛酸铋钠基薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）准备底电极；

（2）Na0.5×aBi0.5×b(Ti1-x-yWxFey)O3前驱体溶液制备：（a）选择乙酸钠、乙酸铋或硝酸铋、硝酸铁、钨酸钠、钛酸四异丙酯作为原料，按照Na0.5×aBi0.5×b(Ti1-x-yWxFey)O3的化学计量比，准确称取原料；

（b）先量取乙酰丙酮和乙二醇甲醚于烧杯中，再将钛酸四异丙酯加入其中，室温下搅拌

3-5小时，定义为溶液1；

将已称取的乙酸铋或硝酸铋、乙酸钠、硝酸铁溶解于乙二醇甲醚中，于40 70°C加热搅~拌；将称取的钨酸钠溶解于乙二醇中，于40 70°C加热搅拌；以上两种溶液完全溶解后混合，~定义为溶液2；

称取聚乙二醇600溶解于乙酸中，室温搅拌直至完全溶解，定义为溶液3；

（c）所有溶液冷却至室温后，将溶液2、溶液3加入到溶液1中，室温下搅拌10-15小时，获得前驱体溶液，备用；

（3）在底电极上沉积钛酸铋钠基薄膜

将前驱体溶液均匀地旋涂在底电极上，然后置于热板上烘干，再进行退火过程，重复上述“旋涂-烘干-退火”的过程；

（4）在钛酸铋钠基薄膜上沉积顶电极

采用金属Pt或Au靶，用直流磁控溅射的方法在钛酸铋钠基薄膜上沉积顶电极。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述的底电极为Pt/Ti/SiO2/Si或Pt/TiO2/Mica。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述的底电极在使用前，依次置于无水乙醇和丙酮的混合液，和去离子水中，各超声10-30min，并用红外灯烘干。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述的Pt/TiO2/Mica基片，其制备方法为：选用厚度＜50 mm氟晶云母（Mica）作为基片；

制备TiO2前驱体溶液：将乙酰丙酮和钛酸四异丙酯先后加入乙二醇甲醚中，加以搅拌后得到TiO2前驱体溶液，备用；

将TiO2前驱体溶液旋涂在Mica上，然后烘干，再进行退火处理，重复 “旋涂-烘干-退火”的过程共3-5次，得到TiO2/Mica，备用；

用直流磁控溅射的方法在TiO2/Mica上沉积Pt薄膜，得到Pt/TiO2/Mica。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述的制备TiO2前驱体溶液, 具体为，将0.30 ml乙酰丙酮和0.89 ml钛酸四异丙酯先后加入28.81 ml乙二醇甲醚中，并搅拌1-5 h，得到浓度为0.1 mol/L的TiO2前驱体溶液。

8.根据权利要求6中所述的制备方法，其特征在于，

所述的旋涂转速为3000转/分钟，时间为30 s；烘干温度为250  °C，烘干时间为3 min；

退火温度为450 °C，退火时间为8 min；

所述的用直流磁控溅射的方法在TiO2/Mica上沉积Pt薄膜，操作参数为：直流磁控溅射沉积底电极时气氛为Ar，真空度为0.05 mbar，电流为30 mA，底电极厚度为80 nm；底电极预处理时气氛为N2，温度为500 °C，时间为8 min。

9.根据权利要求3中所述的制备方法，其特征在于，所述的步骤（3）中，旋涂时转速为

3000转/分钟，时间为30秒；烘干温度为200 °C，烘干时间为3 min；预处理温度为350 ℃，预处理时间为2 min，退火气氛为空气或O2，退火温度为500-550 °C，退火时间为6 10 min。

~

10.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（4）中沉积顶电极时气氛为Ar，真空度为0.05 mbar，电流为30 mA，顶电极直径为200 μm。