1.一种阵列式多通道光纤传感器，其特征在于：包括银膜、氧化铟锡‑银复合膜、氧化铟锡‑金复合膜、二氧化钛‑银复合膜、二氧化钛‑金复合膜和五个抛磨的单模光纤，所述五个抛磨的单模光纤分别镀上银膜、氧化铟锡‑银复合膜、氧化铟锡‑金复合膜、二氧化钛‑银复合膜和二氧化钛‑金复合膜，所述五个抛磨的单模光纤两两熔接；

在1.33‑1.35折射率范围内选择银膜构成通道Ⅰ，在1.35‑1.37折射率范围内选择氧化铟锡‑金复合膜构成通道Ⅲ，在1.37‑1.40折射率范围内选择二氧化钛‑银复合膜构成通道Ⅳ。

2.根据权利要求1所述阵列式多通道光纤传感器，其特征在于：所述银膜、复合膜中的银和复合膜中的金的厚度为30‑50nm。

3.根据权利要求1所述阵列式多通道光纤传感器，其特征在于：所述复合膜中的二氧化钛的厚度为10‑20nm。

4.根据权利要求1所述阵列式多通道光纤传感器，其特征在于：所述复合膜中的氧化铟锡的厚度为10‑15nm。

5.一种权利要求1所述阵列式多通道光纤传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将五个单模光纤的涂覆层去掉，露出长度为100mm‑120mm的裸光纤，清洁，将所述五个单模光纤两侧进行抛磨；

(2)采用直流磁控溅射的方法制备银膜、氧化铟锡‑银复合膜、氧化铟锡‑金复合膜、二氧化钛‑银复合膜和二氧化钛‑金复合膜，在第一个抛磨的单模光纤两侧分别溅射上一层第一银膜；在第二个抛磨的单模光纤两侧分别溅射上一层第二银膜，再在所述第二银膜上溅射上一层氧化铟锡制成氧化铟锡‑银复合膜；氧化铟锡‑金复合膜、二氧化钛‑银复合膜和二氧化钛‑金复合膜的制备方法与氧化铟锡‑银复合膜相同，是在不同抛磨的单模光纤两侧分别先溅射上一层金属膜，再在所述金属膜上溅射上一层金属氧化膜；

(3)将五个溅射好的单模光纤两两熔接起来，制得阵列式多通道光纤传感器。

6.根据权利要求5所述阵列式多通道光纤传感器的制备方法，其特征在于：步骤(1)中所述单模光纤抛磨产生的凹槽长度是8mm‑10mm。

7.根据权利要求5所述阵列式多通道光纤传感器的制备方法，其特征在于：步骤(1)中所述单模光纤的包层与纤芯的距离为300nm‑500nm。

8.根据权利要求5所述阵列式多通道光纤传感器的制备方法，其特征在于：步骤(1)中所述抛磨通过抛磨轮进行。

9.根据权利要求5所述阵列式多通道光纤传感器的制备方法，其特征在于：步骤(2)中所述溅射通过膜厚监控器进行。

10.根据权利要求5所述阵列式多通道光纤传感器的制备方法，其特征在于：步骤(3)中所述熔接在光纤熔接机中进行。