1.一种LED灯带用高透射单面板的制备方法，其特征在于：其包括下列步骤：（1）贴干膜：提供干膜和铜箔，所述铜箔的背面贴合有保护膜，通过贴膜机将所述干膜贴合在所述铜箔的正面，形成有干膜保护的铜箔基板；

（2）曝光：将底片上的线路图形与贴干膜的铜箔基板对位，通过曝光机进行影像转移，被光照到区域的干膜发生聚合反应，未被光照到区域的干膜不发生聚合反应，利用光的作用将影像转移到贴干膜的铜箔基板；

（3）显影：将曝光后的铜箔基板，通过显影液冲洗，将没有发生聚合反应区域的干膜去除干净，铜箔基板上露出没有干膜保护的铜箔，所述显影液为浓度为0.08～0.12mol/L的Na2CO3溶液；显影所用设备为显影生产线；所述显影生产线的显影液喷淋压力控制在1.5～

2 2

2.5kgf/cm，水洗压力控制在1.0～2.0kgf/cm ，温度控制在35～45℃，速度控制在2.0～

3.5m/min；

（4）蚀刻：将显影后的铜箔基板，经蚀刻液的冲洗，将没有干膜保护的铜箔蚀刻去除干净，留下发生聚合反应干膜保护的铜箔，在铜箔基板上形成线路；

（5）剥膜：将蚀刻后的铜箔基板，经剥膜液的冲洗，将保护铜箔的发生聚合反应干膜去除干净，铜箔基板上形成完整的铜层线路；

（6）丝印胶黏剂：通过丝网印刷设备，将胶黏剂丝印在铜层线路上，形成胶层，所述胶黏剂所用材料选自环氧树脂、丙烯酸系树脂、胺基甲酸酯系树脂或聚酰亚胺树脂中的一种；所述胶层的厚度为8～15微米；

（7）贴合绝缘膜：通过快压机，将绝缘膜通过胶层贴合在铜层线路上，形成绝缘膜层，所述绝缘膜为PI膜、PET膜、PE膜、PEN膜或BOPP膜中的一种；所述绝缘膜的厚度为18～120微2

米；所述快压机的压力控制在80～100kgf/cm，压合温度控制在160～180℃，压合时间控制在60～90s；

（8）剥离保护膜：通过剥膜机剥离铜箔基板背面的保护膜，得到LED灯带用高透射单面板。

2.根据权利要求1所述的LED灯带用高透射单面板的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）贴干膜：所述铜箔的厚度为12～50微米；

所述保护膜为PI膜、PET膜、PE膜、PS膜、PTFE膜或PC膜中的一种，所述保护膜的厚度为

80～120微米。

3.根据权利要求1所述的LED灯带用高透射单面板的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）贴干膜：所述干膜包括PET膜层和光致抗蚀剂膜层；

所述干膜的厚度为30～50微米；

2

所述贴膜机的压力控制在3.0～5.0kgf/cm，压合温度控制在100～120℃，贴膜速度控制在1.5～2.5m/min。

4.根据权利要求1所述的LED灯带用高透射单面板的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）曝光：2

所述曝光机的曝光能量控制在35～75mj/cm。

5.根据权利要求1所述的LED灯带用高透射单面板的制备方法，其特征在于，所述步骤（4）蚀刻：所述蚀刻液为酸性氯化铜蚀刻液，所述酸性氯化铜蚀刻液含有HCl和CuCl2，所述HCl的浓度为0.8～2.5mol/L，所述CuCl2的浓度为1.5～2.5mol/L；

所述步骤（4）蚀刻所用设备为蚀刻生产线；

2

所述蚀刻生产线的蚀刻液喷淋压力控制在1～3 kgf/cm ，水洗压力控制在1.0～2

2.0kgf/cm，温度控制在45～55℃，速度控制在2.0～3.5m/min。

6.根据权利要求1所述的LED灯带用高透射单面板的制备方法，其特征在于，所述步骤（5）剥膜：所述剥膜液为浓度0.8～1.3mol/L的NaOH溶液；

所述步骤（5）剥膜所用设备为剥膜生产线；

2

所述剥膜生产线的剥膜液喷淋压力设置为1.5～2.5kgf/cm，温度控制在45～55℃，速2

度控制在2.0～3.5m/min，水洗压力设置为1.0～2.0kgf/cm。