1.一种CdIn2S4纳米粒子/BiVO4纳米棒复合结构的制备方法，其特征在于，按照如下步骤：

(1)按一定物质的量比称取五水硝酸铋Bi(NO3)3·5H2O及聚乙烯吡咯烷酮PVP加入乙醇中，超声分散20‑40min得均匀分散液A；

称取一定物质的量的偏钒酸钠NaVO3加入水中，超声10‑20min得分散液B；

将B缓慢滴加至A中，搅拌30‑40min后，转入水热釜中，于一定温度下水热反应数小时，待其自然冷却至室温，洗涤、干燥和研磨，最后，将研磨后的样品加入管式炉中进行煅烧反应，制得BiVO4纳米棒；

(2)称取一定质量的按步骤(1)获得的BiVO4纳米棒分散于一定比例的甲醇与水溶液中超声和搅拌10‑20min，反复3‑6次，制得分散均匀的BiVO4纳米棒悬浊液；

称取一定质量的CdIn2S4纳米粒子，将其分散于BiVO4纳米棒悬浊液中，超声10‑20min，搅拌10‑20min，反复3‑6次，将制得分散均匀的悬浊液加入至水热釜中，放入烘箱升温至一定温度，反应一段时间，待其自然冷却至室温，洗涤，干燥，收集样品，制得CdIn2S4纳米粒子/BiVO4纳米棒复合结构。

2.根据权利要求1所述的一种CdIn2S4纳米粒子/BiVO4纳米棒复合结构的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，乙醇、Bi(NO3)3·5H2O、PVP、NaVO3及水的用量比为：25‑75mL：0.3‑

0.9mmol：1‑3g：0.5‑1.5mmol：15‑45mL。

3.根据权利要求1所述的一种CdIn2S4纳米粒子/BiVO4纳米棒复合结构的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，水热反应的温度为140‑180℃，反应时间为8‑16h；管式炉煅烧升温速率为1.5‑3℃/min，煅烧温度为400‑480℃，煅烧时间为1‑3h。

4.根据权利要求1所述的一种CdIn2S4纳米粒子/BiVO4纳米棒复合结构的制备方法，其特征在于，步骤(1)中制得的BiVO4纳米棒的直径为5‑20nm，长度为150‑250nm。

5.根据权利要求1所述的一种CdIn2S4纳米粒子/BiVO4纳米棒复合结构的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，BiVO4纳米棒与甲醇及水的用量比为0.5‑1.5mmol：15‑45mL：15‑

45mL。

6.根据权利要求1所述的一种CdIn2S4纳米粒子/BiVO4纳米棒复合结构的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，水热反应的温度为80‑120℃，反应时间为1‑2.5h。

7.一种CdIn2S4纳米粒子/BiVO4纳米棒复合结构，其特征在于，是通过权利要求1～6中任一项所述制备方法制得的，其中BiVO4纳米棒在CdIn2S4纳米粒子/BiVO4纳米棒复合结构中的质量百分比为5‑15％。

8.根据权利要求7所述的一种CdIn2S4纳米粒子/BiVO4纳米棒复合结构的用途，其特征在于，将所述复合结构用于可见光下催化降解盐酸四环素TC与盐酸土霉素OTC。