1.一种利用熔盐电解法生长大面积单晶3R-MoS2薄膜的方法，其特征在于该方法按以下步骤进行：一、按KCl、NaCl、硫类盐、钼类盐的质量比为(26～29)：(37～40)：(6～5)：(4～3)把KCl、NaCl、硫类盐和钼类盐加入电解炉的电解槽中，加热熔融，得到KCl-NaCl-硫类盐-钼类盐的电解质体系；

二、将基片用500～2000目砂纸打磨后再抛光，然后依次用丙酮、无水乙醇各超声清洗，干燥后，将基片生长面朝上放入电解槽中；

三、以金属钼丝为工作电极和辅助电极，在电解温度为657～850℃、电流为0.5～

1.0Acm-2的条件下电解0.5～1.0小时，将基片从电解槽中取出，降至常温，洗涤、烘干，在基片表面得到单晶3R-MoS2薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种利用熔盐电解法生长大面积单晶3R-MoS2薄膜的方法，其特征在于步骤一中所述的硫类盐为KSCN或K2S。

3.根据权利要求1或2所述的一种利用熔盐电解法生长大面积单晶3R-MoS2薄膜的方法，其特征在于步骤一中所述的钼类盐为Na2MoO4或MoO3。

4.根据权利要求1或2所述的一种利用熔盐电解法生长大面积单晶3R-MoS2薄膜的方法，其特征在于步骤二中所述的基片为SiO2/Si片、钼片或石英片。

5.根据权利要求1或2所述的一种利用熔盐电解法生长大面积单晶3R-MoS2薄膜的方法，其特征在于步骤三中电解温度为670℃、电流为0.5Acm-2。

6.根据权利要求1或2所述的一种利用熔盐电解法生长大面积单晶3R-MoS2薄膜的方法，其特征在于步骤三中电解温度为800℃、电流为1.0Acm-2。