1.一种具有差分架构的2T2R阻变式存储器，其特征在于，包括：多个2T2R阻变式存储单元构成的存储单元阵列；每个2T2R阻变式存储单元包括第一晶体管、第二晶体管、第一阻变器件和第二阻变器件；

所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极连接在同一根字线上，所述第一晶体管的源极和所述第二晶体管的源极分别连接在第一位线和第二位线上，所述第一晶体管的漏极与所述第一阻变器件的第一电极连接，所述第二晶体管的漏极与所述第二阻变器件的第一电极连接，所述第一阻变器件的第二电极和所述第二阻变器件的第二电极连接在同一根源线上；

其中，所述第一阻变器件的第一电极与所述第二阻变器件的第一电极位于同一层，所述第一阻变器件的第二电极与所述第二阻变器件的第二电极位于同一层；

其中，所述第一阻变器件与所述第二阻变器件的阻态始终相反。

2.一种微控制单元MCU，其特征在于，所述MCU上具有如权利要求1所述的具有差分架构的2T2R阻变式存储器。

3.根据权利要求2所述的MCU，其特征在于，所述MCU用于控制充电单元在所述字线上施加开启电压，以开启所述第一晶体管和所述第二晶体管，控制所述充电单元在所述第一位线上施加第一操作电压，在所述第二位线上施加第二操作电压；

其中，所述第一操作电压与第二操作电压不同，所述第一操作电压相对于所述源线上的电压的电压差使得所述第一阻变器件由高阻态变为低阻态，所述第二操作电压相对于所述源线上的电压的电压差使得所述第二阻变器件由低阻态变为高阻态；或者，所述第一操作电压相对于所述源线上的电压的电压差使得所述第一阻变器件由低阻态变为高阻态，所述第二操作电压相对于所述源线上的电压的电压差使得所述第二阻变器件由高阻态变为低阻态。

4.根据权利要求2所述的MCU，其特征在于，所述MCU用于控制充电单元在所述第一位线和第二位线上充电，以使所述第一位线和所述第二位线上的电压达到同一读取电压，并控制充电单元在预设时间之后停止对所述第一位线和所述第二位线的充电，控制所述充电单元在所述源线上施加一个电压，在所述字线上施加开启电压，以开启所述第一晶体管、所述第二晶体管，以使所述第一位线和第二位线开始放电，根据所述第一位线和第二位线的放电速度获取所述第一阻变器件和所述第二阻变器件的相对阻值，根据所述第一阻变器件和所述第二阻变器件的相对阻值确定所述

2T2R阻变式存储单元的状态。

5.根据权利要求4所述的MCU，其特征在于，在所述源线上施加的电压小于所述读取电压，且所述读取电压与在所述源线上施加的电压的电压差值小于预设阈值。

6.根据权利要求4或5所述的MCU，其特征在于，所述2T2R阻变式存储单元的状态为所述第一阻变器件相对于所述第二阻变器件呈高阻态，所述第二阻变器件相对于所述第一阻变器件呈低阻态；或者，所述第一阻变器件相对于所述第二阻变器件呈低阻态，所述第二阻变器件相对于所述第一阻变器件呈高阻态。

7.一种设备，其特征在于，包括：如权利要求1所述的具有差分架构的2T2R阻变式存储器。

8.一种设备，其特征在于，包括：如权利要求2所述的MCU。