1.一种用于降低POE设备传导骚扰的电磁兼容电路结构，其特征在于，所述的电路包括设于变压器初级侧的防POE输出干扰模块及反向噪音抑制模块，所述的防POE输出干扰模块的第一端与输入所述的变压器初级侧的电源端相连接，所述的防POE输出干扰模块的第二端与所述的反向噪音抑制模块的第一端相连接，所述的反向噪音抑制模块的第二端设于所述的变压器初级侧的输出端，所述的POE设备接于所述的防POE输出干扰模块的第二端与所述的反向噪音抑制模块的第一端的连接处，所述的反向噪音抑制模块的第二端接有一预设幅值的降压控制芯片。

2.根据权利要求1所述的用于降低POE设备传导骚扰的电磁兼容电路结构，其特征在于，所述的POE设备包括POE负载及POE控制芯片，所述的POE负载通过所述的POE控制芯片与所述的防POE输出干扰模块的第二端相连接。

3.根据权利要求1所述的用于降低POE设备传导骚扰的电磁兼容电路结构，其特征在于，所述的防POE输出干扰模块由第一共模电感构成，所述的反向噪音抑制模块由第二共模电感构成。

4.根据权利要求3所述的用于降低POE设备传导骚扰的电磁兼容电路结构，其特征在于，以所述的变压器上的负载电流大小为依据决定选取的所述的第一共模电感及第二共模电感的规格大小。

5.根据权利要求3所述的用于降低POE设备传导骚扰的电磁兼容电路结构，其特征在于，所述的防POE输出干扰模块还包括第一电容、第二电容、第一磁珠及第二磁珠；所述的第一共模电感的输入侧构成所述的防POE输出干扰模块的第一端，所述的第一共模电感的输出侧的两个连接端分别与所述的第一电容的第一端及第二端相连接；所述的第一电容的第一端通过所述的第一磁珠与所述的第二电容的第一端相连接，所述的第一电容的第二端通过所述的第二磁珠与所述的第二电容的第二端相连接；所述的第二电容的第一端及第二端共同构成所述的防POE输出干扰模块的第二端；所述的POE设备与所述的第二电容的第一端相连接。

6.根据权利要求5所述的用于降低POE设备传导骚扰的电磁兼容电路结构，其特征在于，所述的反向噪音抑制模块还包括第三磁珠及第四磁珠；所述的第二共模电感的输入侧的两个连接端共同构成所述的反向噪音抑制模块的第一端，并分别与所述的第二电容的第一端及第二端对应连接；所述的第二共模电感的输出侧的两个连接端分别与所述的第三磁珠的第一端及第四磁珠的第一端相连接；所述的第三磁珠的第二端与所述的第四磁珠的第二端共同构成反向噪音抑制模块的第二端，所述的预设幅值的降压控制芯片与所述的第三磁珠的第二端相连接。

7.根据权利要求6所述的用于降低POE设备传导骚扰的电磁兼容电路结构，其特征在于，采用频率响应较宽的磁珠构成所述的第一磁珠、第二磁珠、第三磁珠及第四磁珠。

8.根据权利要求6所述的用于降低POE设备传导骚扰的电磁兼容电路结构，其特征在于，采用满足输入所述的变压器初级侧的电源端输出电压的电容构成所述的第一电容及第二电容。

9.根据权利要求6所述的用于降低POE设备传导骚扰的电磁兼容电路结构，其特征在于，所述的电源端的输入电压为54V，所述的降压控制芯片的预设幅值为54-12V，选用规格为1mH、20mm×20mm的共模电感构成所述的第一共模电感，规格为5mH、4.5mm×10mm的共模电感构成所述的第一共模电感，采用容值为10μF、100v耐压的电容构成第一电容及第二电容，规格为100Mhz、600Ω的磁珠构成第一磁珠、第二磁珠、第三磁珠及第四磁珠。

10.根据权利要求3～8中任一项所述的用于降低POE设备传导骚扰的电磁兼容电路结构，其特征在于，所述的第一共模电感由磁导率较大磁芯构成。