1.一种涡流抑制结构，包括磁致伸缩层（1），其特征在于，还包括绝缘介质层，所述绝缘介质层设置于所述磁致伸缩层（1）内，用于打断涡流；

所述磁致伸缩层（1）内沿其厚度方向设置第一绝缘介质层（2）和/或所述磁致伸缩层（1）内沿其宽度方向设置第二绝缘介质层（3）；

所述磁致伸缩层（1）内沿其厚度方向设置至少一层所述第一绝缘介质层（2）；

所述第一绝缘介质层（2）为三层且相互平行，每层所述第一绝缘介质层（2）的厚度为5-

100nm，所述磁致伸缩层（1）的材料为FeGaB薄膜，所述FeGaB薄膜总厚度为1μm，所述第一绝缘介质层（2）的电导率范围为0-100 S/m，所述第一绝缘介质层（2）由Al2O3、Si3N4和AlN中任一种或者多种材料制成；

所述磁致伸缩层（1）内沿其宽度方向设置至少一层所述第二绝缘介质层（3）；

所述第二绝缘介质层（3）为三层且相互平行，每层所述第二绝缘介质层（3）的厚度为5-

30nm，所述第二绝缘介质层（3）的电导率范围为0-100 S/m，所述第二绝缘介质层（3）由Al2O3、Si3N4和AlN中任一种或者多种材料制成。

2.根据权利要求1所述一种涡流抑制结构，其特征在于，所述磁致伸缩层（1）内沿其厚度方向设置至少一层第一绝缘介质层（2），所述磁致伸缩层（1）内沿其宽度方向设置至少一层第二绝缘介质层（3），所述第一绝缘介质层（2）和所述第二绝缘介质层（3）交叉间隔设置。

3.一种磁电天线，包括上电极，其特征在于，还包括权利要求1-2任一项所述涡流抑制结构，所述涡流抑制结构设置在所述上电极上。