利索能及
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专利号: 2019113437245
申请人: 电子科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2025-12-01
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种适用于奇次倍频的二极管,其特征在于,包括衬底,制作于衬底上的金属凸台,金属凸台上形成左右两个下侧阳极金属柱,两个下侧阳极金属柱上各覆盖一层外延层,两外延层上各设有上侧阳极金属柱;还包括两个空气桥,所述两个空气桥分别连接两个上侧阳极金属柱至衬底电路。

2.根据权利要求1所述的一种适用于奇次倍频的二极管,其特征在于,所述二极管为对称结构。

3.根据权利要求2所述的一种适用于奇次倍频的二极管,其特征在于,所述外延层材料为GaAs、GaN、InP中的一种。