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专利号: 2019113083560
申请人: 南京师范大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2025-08-18
缴费截止日期: 暂无
联系人

摘要:

权利要求书:

1.一种间歇浸没式培养金钗石斛种苗的方法,其特征在于,包括如下步骤:

(1)种子萌发:将金钗石斛种子无菌播种到固体培养基上进行萌发培养;

(2)原球茎增殖培养:将萌发的种子无菌转接到原球茎增殖固体培养基上进行原球茎增殖培养;

(3)液体适应性培养:将步骤(2)培养得到的原球茎无菌接种到液体培养基中适应性培养;

(4)间歇浸没培养:将完成适应性培养且无污染原球茎连同步骤(3)液体培养基倒入间歇浸没系统的生长室中,设定培养参数,进行间歇浸没培养的壮苗培养;再进行间歇浸没培养的生根培养。

2.根据权利要求1所述的间歇浸没式培养金钗石斛种苗的方法,其特征在于,步骤(1)中所述种子为成熟未开裂的金钗石斛果夹,并经表面消毒处理后得到的无菌种子;所述固体培养基的配方为N6+8~10%椰汁+2~3%蔗糖+0.65%琼脂,pH6.0。

3.根据权利要求1所述的间歇浸没式培养金钗石斛种苗的方法,其特征在于,步骤(2)中所述原球茎增殖固体培养基配方为N6+0.2~0.5%海藻提取液+8~10%椰汁+3%蔗糖+

0.65%琼脂,pH6.2。

4.根据权利要求1所述的间歇浸没式培养金钗石斛种苗的方法,其特征在于,步骤(3)中所述液体培养基配方为N6+0.1~0.2%花宝2+0.2~0.5%海藻提取液+8~10%土豆+4~

6%香蕉+2~3%蔗糖,pH6.2;每100mL液体培养基接种原球茎8~15g。

5.根据权利要求1所述的间歇浸没式培养金钗石斛种苗的方法,其特征在于,步骤(3)中所述培养优选为3~5天。

6.根据权利要求1所述的间歇浸没式培养金钗石斛种苗的方法,其特征在于,步骤(4)中所述间歇浸没培养分两个阶段,第一阶段为壮苗培养,培养时间为30~40天;第二阶段为生根培养,培养时间为50~70天。

7.根据权利要求1~6所述的间歇浸没式培养金钗石斛种苗的方法,其特征在于,所述壮苗培养的培养基配方为步骤(3)中所述的液体培养基,壮苗培养设定间歇时间为2~6h,浸没时间为5~20min;所述生根培养的培养基配方为N6+0.15~3%花宝2+8~10%香蕉+5~6%土豆+3%蔗糖+1~1.5%活性炭pH6.5,生根培养设定间歇时间为6~12h,浸没时间为

1~10min。

8.根据权利要求6所述的间歇浸没式培养金钗石斛种苗的方法,其特征在于,所述壮苗培养阶段完成后,不移动组培苗,将间歇浸没培养容器中的壮苗培养基倒出,将生根培养基倒入,并更改为生根培养的间歇浸没频率参数。

9.根据权利要求1所述的间歇浸没式培养金钗石斛种苗的方法,其特征在于,所述间歇浸没系统,包括罐体(1)、动力系统(2)和控制系统(3),所述动力系统(2)产生气体通过连接的管道提供给罐体(1),控制系统(3)通过电路或者网络连接动力系统(2);所述罐体(1)分为上下结构,通过育苗盘(4)密封相隔,上部分为生长室(5)、下部分为储液室(6),两室通过连接在育苗盘上的导管相连;动力系统(2)提供气压可以将液体培养基从储液室顺着导管压入到生长室(5),而气压消失后液体培养基在重力作用下通过导管回流到储液室(6)中;

控制系统(3)控制动力系统(2)的工作。

10.根据权利要求1所述的间歇浸没式培养金钗石斛种苗的方法,其特征在于,所有培养基及容器的灭菌均采用121℃高温高压湿热灭菌;培养环境均为光照强度1800~

2000lux,光照时间12~14h/d,温度25±1℃。