1.基于三管五电平拓扑的单相功率因数校正电路，包括电感L，开关管Q1、Q2、Q3，二极管D1～D11，电容C1，电容C2；其特征在于：交流电源AC一侧分别连接二极管D1阳极、二极管D2阴极，其连接节点构成端点b；

交流电源AC另一侧连接电感L一端，电感L另一端分别连接二极管D3阳极、二极管D4阴极；电感L另一端与二极管D3、D4的连接节点构成端点a；

开关管Q2漏极分别连接二极管D3阴极、二极管D9阴极、开关管Q1源极；

开关管Q2源极分别连接二极管D4阳极、二极管D10阳极、开关管Q3漏极；

二极管D7阴极连接电容C1一端，其连接节点构成端点p；

电容C1另一端连接电容C2一端，其连接节点构成端点n；

电容C2另一端连接二极管D8阳极，其连接节点构成端点m；

开关管Q1漏极分别连接二极管D1阴极、二极管D7阳极；开关管Q1漏极与二极管D1、D7的连接节点构成端点c；

开关管Q3源极分别连接二极管D2阳极、二极管D8阴极，开关管Q3源极与二极管D2、D8的连接节点构成端点d；

开关管Q1反并联二极管D5，开关管Q2反并联二极管D11，开关管Q3反并联二极管D6；

电容C1一端、电容C2另一端分别连接负载RL两端。

2.根据权利要求1所述基于三管五电平拓扑的单相功率因数校正电路，其特征在于：所述端点a、端点c、端点d、端点n构成对称四端口。

3.根据权利要求1所述基于三管五电平拓扑的单相功率因数校正电路，其特征在于：所述开关管Q1、Q2、Q3为全控型器件，采用绝缘栅型双极晶体管IGBT、集成门极换流晶闸管IGCT、或者电力场效应晶体管MOSFET。

4.根据权利要求1所述基于三管五电平拓扑的单相功率因数校正电路，其特征在于：所述电容C1、C2为串联直流母线分裂电容。

5.如权利要求1～4任意所述基于三管五电平拓扑的单相功率因数校正电路，其特征在于，包括以下开关模式：开关模式一：此时为交流电源AC的正半周，开关管Q2、Q3导通，电流经过电感L，开关管Q2、Q3，最后经过二极管D2流回，此过程电感L储能，负载RL由电容C1、C2供电；

开关模式二：此时为交流电源AC的正半周，开关管Q2导通，电流经过电感L，二极管D3、D10、D8、D2以及电容C2，此过程中，交流电源AC和电感L同时对电容C2充电，负载RL由电容C1电供，开关模式一、开关模式二的转换过程是一个升压过程；

开关模式三：此时为交流电源AC的正半周，电流经过电感L，二极管D3、D5、D7、D8、D2以及电容，此过程中，交流电源AC和电感L同时给负载RL和电容C1、C2供电，电容C1、C2充电；

开关模式四：此时为交流电源AC的负半周，开关管Q1、Q2导通，电流经过二极管D1、D4，开关管Q1、Q2，最后经过电感L回到交流电源AC，此过程中，电感L储能，负载RL由电容C1、C2供电；

开关模式五：此时为交流电源AC的负半周，开关管Q2导通，电流经过二极管D1、D8、D4、D7、D8、D9以及分裂电容C1，最后，流过电感L回到交流电源AC，此过程中，交流电源AC和电感L同时给电容C1充电，开关模式四到开关模式五的转换过程是一个升压过程；

开关模式六：此时为交流电源AC的负半周，电流经过二极管D1、D4、D7、D8、D6以及电容C1、C2，经过电感L回到交流电源AC，此过程中，交流电源AC和电感L同时给负载RL和电容C1、C2供电，电容C1、C2充电。

6.根据权利要求5所述基于三管五电平拓扑的单相功率因数校正电路，其特征在于，使用二极管D7、D8进行如下电路保护：其一，采用两个二极管D7、D8，保证功率的单向流通，保证电容C1、C2的电流只会向负载RL流动，而不会使其倒灌回流；

其二，电路故障时，电容C1、C2可以很好地起到保护；

其三，模态切换过程中，作为电压钳位二极管；

其四，在开关模式一、开关模式四时，电感L储能过程中电压低于直流母线电压时，起到电压钳位作用。

7.如权利要求1～4任意所述基于三管五电平拓扑的单相功率因数校正电路，其特征在于，采用PI双闭环方式进行控制，其中：

外环采用电压控制环，用于直流侧电压稳定控制，其输出结果作为电流内环的参考给定量；

内环采用电流控制环，用于实现单位功率因数校正以及减小谐波含量；

PI双闭环控制，实现输入侧电流正弦化及相位与电源电压同相位、直流电压稳定。